[发明专利]包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法在审
申请号: | 201310293576.7 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103545272A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 裵钟坤;禹宰赫;姜元植;金成起;金亮孝 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 热辐射 半导体 芯片 制造 方法 | ||
技术领域
一些示例实施方式涉及半导体芯片和该半导体芯片的制造方法,例如,涉及包括在半导体芯片的一个表面上的热辐射部的半导体芯片。
背景技术
由于电子产品需要以高速提供各种功能,所以安装在电子产品上的半导体芯片中集成的电路的处理速度增加。然而,半导体芯片的功耗也增加。另外,随着安装在移动电子装置诸如智能手机中的显示模块的尺寸和分辩率增大,显示驱动芯片的功耗大大增加。因此,由于半导体芯片产生更多的热,所以半导体芯片的热辐射也增大。因此,半导体芯片需要将集成到半导体芯片中的电路运行时产生的热有效地消散到外界环境。
发明内容
一些示例实施方式提供了一种半导体芯片,其包括在其一个表面上以将在半导体芯片中产生的热消散到外部的热辐射部。
根据示例实施方式,一种半导体芯片包括:半导体基板,包括第一表面和第二表面;集成电路(IC),在半导体基板的第一表面上;以及热辐射部,在半导体基板的第二表面上。该热辐射部包括:在垂直于第二表面的方向上的热辐射图案;以及在热辐射图案的上部上的热辐射层。该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起,该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。
热辐射层可以包括在多个凹槽中的埋入部,该埋入部可以包括金属材料。热辐射层可以包括:在多个凹槽中的埋入部,该埋入部包括金属材料;以及暴露部,在每个埋入部的上部和多个突起的每个的上部上。
热辐射图案可以包括在第二表面上的条形图案,该条形图案包括具有沿第一方向延伸的直线形状的多个突起,该多个突起沿着垂直于第一方向的第二方向形成并且彼此间隔开。热辐射图案可以包括在第二表面上的格子图案,该格子图案包括具有在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的矩形形状的多个突起和多个凹槽的其中一种。
热辐射图案可以包括在第二表面上的圆形图案,该圆形图案包括具有在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的圆形形状的多个突起和多个凹槽的其中一种。热辐射图案可以包括在第二表面上的环形图案,该环形图案包括具有在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的环形形状的多个突起和多个凹槽的其中一种。
多个突起的每个的纵向截面的顶端和多个凹槽的每个的纵向截面的底端中的其中之一是直的和圆形的其中一种。多个凹槽的每个可以具有倒置三角形截面和倒置梯形截面之一。金属材料可以包括包含碳和银之一的硅化合物。IC可以包括配置为驱动显示面板的驱动电路。
根据示例实施方式,一种制造半导体芯片的方法包括:在半导体基板的第一表面中形成电路区域;对半导体基板的面对第一表面的第二表面执行背部减薄(backwrapping);通过在第二表面上产生多个凹槽和多个突起而形成热辐射图案;通过施加金属材料到热辐射图案的上部上而形成热辐射层;以及平坦化热辐射层的顶表面。
热辐射图案可以形成在第二表面的整个区域上。通过在小于100℃的温度下执行光刻工艺可以形成热辐射图案。
根据示例实施方式,一种半导体芯片包括:半导体基板,包括第一表面和第二表面;集成电路(IC),在半导体基板的第一表面上;以及在半导体基板的第二表面上的热辐射部。该热辐射部包括多个凹槽和在多个凹槽中的金属材料。
热辐射部可以具有平坦的上表面。热辐射部可以还包括通过多个凹槽分离的多个突起。多个突起的每个的纵向截面的顶端和多个凹槽的每个的纵向截面的底端中的其中之一可以是直的和圆形的其中一种。多个突起可以具有沿第一方向延伸并且沿着垂直于第一方向的第二方向形成的直线形状。多个突起和多个凹槽中的至少一种可以具有在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上形成的圆形、环形和矩形形状的其中之一。多个凹槽的每个可以具有倒置三角形截面和倒置梯形截面之一。金属材料可以包括包含碳和银的其中一种的硅化合物。
附图说明
通过下文结合附图的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的示例实施方式,其中:
图1是根据示例实施方式的半导体芯片的纵向截面图;
图2A至图2C是图1中示出的半导体芯片的热辐射部的透视图;
图3A至图3M是图1的热辐射部的热辐射图案的平面图;
图4A至图4I是图1的热辐射部的纵向截面图;
图5是根据另一示例实施方式的半导体芯片的纵向截面图;
图6A至图6I是图5中示出的半导体芯片的热辐射部的纵向截面图;
图7A至图7E和图8示出了根据示例实施方式的制造半导体芯片的方法;
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