[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201310293622.3 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103474468A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄金海;孙伯彰;黄思齐 | 申请（专利权）人： | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/221 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：其包括：
一基板；
一闸极电极，设置于该基板上；
一氧化物半导体层，设置于该基板上；
一闸极介电层，至少部分设置于该闸极电极与该氧化物半导体层之间；
一氧化物源极电极与一氧化物汲极电极，其中该氧化物源极电极与该氧化物汲极电极分别至少部分设置于该氧化物半导体层与该基板之间；以及
一金属连接组件，设置于该基板上，其中该金属连接组件于一垂直于该基板的垂直投影方向上与该氧化物源极电极重迭，该金属连接组件于该垂直投影方向上不与该氧化物半导体层重迭，且该金属连接组件在与该氧化物源极电极互相重迭之区域系直接与该氧化物源极电极接触而形成电性连接。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述金属连接组件设置于该氧化物源极电极与该基板之间。
3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物源极电极至少部分设置于该金属连接组件与该基板之间。
4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：其还包括一画素电极与该氧化物汲极电极电性连接。
5.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：其还包括一保护层以及一第一接触开口，其中该保护层覆盖该闸极电极、该闸极介电层、该氧化物半导体层、该氧化物源极电极、该氧化物汲极电极以及该金属连接组件，该闸极电极设置于该基板与该闸极介电层之间，该第一接触开口设置于该保护层中且至少部分暴露该氧化物汲极电极，该画素电极设置于该保护层上，且该画素电极透过该第一接触开口与该氧化物汲极电极电性连接。
6.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于；其还包括一保护层以及一第二接触开口，其中该保护层覆盖该闸极电极、该闸极介电层、该氧化物半导体层、该氧化物源极电极、该氧化物汲极电极以及该金属连接组件，该闸极介电层设置于该基板与该闸极电极之间，该第二接触开口设置于该保护层以及该闸极介电层中且至少部分暴露该氧化物汲极电极，该画素电极设置于该保护层上，且该画素电极透过该第二接触开口与该氧化物汲极电极电性连接。
7.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述金属连接组件包括一数据线。
8.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物源极电极与该氧化物汲极电极包括氧化物导电材料。
9.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述的氧化物半导体层包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌或氧化锌锆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司，未经福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310293622.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
