[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包含：

多个存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，这些临界状态包含一最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；

一控制器，包含一保持检查程序(retention check logic)，用以标识这些较高临界状态的存储器单元，这些较高临界状态的存储器单元具有包含未通过一保持临界检查(retention threshold check)的多个阈值电压，该控制器更包含一程序，用以改善这些标识出的存储器单元的这些阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制器执行一待机模式(stand-by mode)及一或多个用户模式(user mode)，且该保持检查程序在该待机模式中执行。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制器用以在电源开启时进入该待机模式。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该保持检查程序执行一程序，该程序包含重复地读取这些存储器单元的多个地址，而该重复读取包含：使用一第一读取偏压在一个地址读取一个存储器单元，以读取储存在这些存储器单元的这些数据值；使用一第二读取偏压判断这些存储器单元的多个比较值，以指示这些存储器是否具有一阈值电压低于一保持临界的该较高临界状态；比较这些数据值与这些比较值；以及在结果吻合时储存这些地址。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制器用以储存未通过保持检查的这些存储器单元的多个地址，该控制器包含该程序以响应于一用户指令而进入一编程模式，用以写入数据至这些被选定的这些存储器单元，并用以在该编程模式排列这些储存的地址以编程这些高临界状态。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制器用以在接收到一读取或编程指令时，中断该程序以标识未通过该保持临界检查的这些存储器单元。

7.一种存储器装置的操作方法，该存储器装置包含多个存储器单元中的一阵列，用以使用多个临界状态储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，该方法包含：

标识这些在一较高临界状态的存储器单元，其中这些较高临界状态的存储器单元包含未通过一保持临界检查的多个阈值电压；以及

改善这些标识出的存储器单元的这些阈值电压。

8.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法，其中该存储器装置包含一控制器以执行一待机模式及一或多个用户模式，且在该待机模式时执行该标识步骤。

9.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法，其中在该存储器装置电源开启时执行该标识步骤。

10.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法，其中该标识步骤包含重复地读取这些存储器单元的多个地址，而该重复读取包含使用一第一读取偏压在该一个地址读取该一个存储器单元，其中该第一读取偏压用以读取储存在这些存储器单元的这些数据值，该重复读取包含使用一第二读取偏压决定这些存储器单元的多个比较值，其中该第二读取偏压用以指示这些存储器是否具有一阈值电压低于一保持临界的较高临界状态，该重复读取包含比较这些数据值与这些比较值，并在结果吻合时储存这些地址。

11.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法，更包含：

储存这些被标识的存储器单元的多个地址；

响应于一用户指令进入一编程模式，用以写入数据至这些被选定的这些存储器单元；

在该编程模式排列这些储存的地址以编程这些高临界状态。

12.根据权利要求7所述的存储器装置的操作方法，更包含在接收到一读取或编程指令时，中断该标识步骤。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该阵列中的这些存储器单元为一非易失性陷获电荷存储器单元，该控制器包含一待机模式、一写入模式及一读取模式，而该保持检查程序在待机模式时执行，而该程序用以在该待机模式及写入模式其中之一，对这些标识的存储器单元执行一保持写入以改善这些阈值电压。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中该控制器用以在接收到一用户指令时，中断该保持检查程序且该程序执行该保持写入。