[发明专利]一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法有效
| 申请号： | 201310294497.8 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103377612A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 孙镇;黄勇;黄光佐;梁涛 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/28 | 分类号： | G09G3/28 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 等离子 显示器 emi 低频 标的 扫描 芯片 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法，其特征是：包括以下步骤：
a. 行扫描芯片并发操作时，对行扫描芯片的96路输出通道进行分组处理；
b. 96路输出通道总共分成4组，每组24路，第一组与第二组间延时为40ns，第二组与第三组间延时为60ns，第三组与第四组间延时为50ns；
c. 在行扫描芯片的低压管输入端加入钳位管和PN结电容。
2. 根据权利要求1所述的一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法，其特征是：所述行扫描芯片的输出级采用栅场板结构的PLDMOS晶体管。
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