[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，包括：

硅片层，其包括用于感光产生电信号的光电二极管，所述硅片层具有正表面和背表面；

后端层，其设置于所述硅片层的正表面，所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层；

入光层，其包括微透镜层和滤光膜层，所述入光层设置于所述硅片层背表面；

其特征在于，所述后端层还包括：

吸光层，其设置于所述后端层预设位置，所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述后端层的介电层内部的预设区域内。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述硅片层正表面与所述介电层之间预设区域内。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层与所述介电层为同一结构层，即所述介电层采用吸光材料构成从而使所述介电层具有绝缘功能的同时又具有吸光功能。

5.根据权利要求1-4任一项所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述光电二极管所处位置的硅片层正表面下方，所述吸光层横截面的面积不小于所述光电二极管横截面的面积。

6.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料是对所述传感器的探测波段光吸收率为50%-100%的材料。

7.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料为石墨、碳或者三氧化铬。

8.一种制作背照式图像传感器的方法，包括：

制作包括光电二极管与晶体管电路的硅片层，所述硅片层具有正表面和背表面；

制作所述后端层，所述后端层形成于所述硅片层的正表面，所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层；

在所述后端层预设位置形成吸光层；

在所述硅片层的背表面制作包括滤光膜层以及微透镜层的入光层。

9.根据权利要求8所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述制作吸光层的步骤包括：在所述硅片层的正表面沉积一层吸光层，去掉预设区域以外的吸光材料，然后在所述硅片层正表面与所述吸光层上形成介电层。

10.根据权利要求8所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，在制作吸光层步骤中，形成预设厚度的介电层后，在所述预设厚度的介电层的下表面形成预设深度的凹槽，在所述凹槽内填入吸光材料处理光滑后形成吸光层，然后在所述预设厚度的介电层下表面继续形成介电层。

11.根据权利要求8所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，在制作吸光层步骤中，形成预设厚度的介电层后，在所述预设厚度的介电层的下表面沉积一层吸光层，去掉预设区域以外的吸光材料，然后继续形成后续介电层。

12.根据权利要求8所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，在制作吸光层步骤中，所述吸光层与所述介电层作为同一结构层，即所述介电层采用吸光材料构成从而使所述介电层具有绝缘功能的同时又具有吸光功能。

13.根据权利要求8-12任一项所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光层设置于所述光电二极管所处位置的硅片层的正表面下方，所述吸光层横截面的面积不小于所述光电二极管横截面的面积。

14.根据权利要求12所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光材料采用是对所述传感器的探测波段光吸收率为50%-100%的材料。

15.根据权利要求12所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光材料采用石墨、碳或者三氧化铬。