[发明专利]一种提高压力传感器检测灵敏度装置

权利要求书

1. 一种提高压力传感器检测灵敏度装置，包括七个电源、弹道偏转晶体管、两个压力传感器，两个电阻；

其特征在于：所述的弹道偏转晶体管的右栅极、左漏极、右漏极分别与第一电源V_TD、第二电源V_LD、第三电源V_RD的正极连接，第一电源V_TD、第二电源V_LD、第三电源V_RD的负极接地，弹道偏转晶体管的左栅极分别与第一电阻R_D1的一端和第一压力传感器FET1的漏极连接，第一电阻R_D1的另一端与第四电源V_DD1的正极连接，第四电源V_DD1的负极接地，第一压力传感器FET1的栅极与第五电源V_g1的正极连接，第五电源V_g1的负极接地，第一压力传感器FET1的源极接地，弹道偏转晶体管的右漏极与第二电阻R_D2的一端、第二压力传感器FET2的漏极连接，第二电阻R_D2的另一端与第六电源V_DD2的正极连接，第六电源V_DD2的负极接地，第二压力传感器FET2的栅极与第七电源V_g2的正极连接，第七电源V_g2的负极接地，第二压力传感器FET2的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种提高压力传感器检测灵敏度装置，其特征在于：所述的第一压力传感器FET1的结构为漏极、栅极、源极组成的电极层，依次往下为Al_0.27Ga_0.73N帽层、Al_0.27Ga_0.73N势垒层、AlN隔离层、Al_0.04Ga_0.96N插入层、GaN缓冲层，硅衬底；

GaN缓冲层厚度为2.5μm；

Al_0.04Ga_0.96N插入层厚度为8nm；

AlN隔离层厚度为1nm；

Al_0.27Ga_0.73N势垒层厚度为20nm；

Al_0.27Ga_0.73N帽层厚度为2nm；

所述的栅极金属为镍或金，源极和漏极金属分别为钛、铝、镍、金中的一种，选择器件的栅长为1μm，栅宽为100μm，栅极与源极、栅极与漏极之间距离都为1μm；

所述的于第一压力传感器的敏感膜下方的硅衬底上被挖除一长、宽各为100um的孔；

所述的第二压力传感器结构与第一压力传感器区别在于第二压力传感器的硅衬底没有被挖除。

3.根据权利要求1所述的一种提高压力传感器检测灵敏度装置，其特征在于：所述的弹道偏转晶体管有六个电极，分别为顶部漏极、左漏极、右漏极、左栅极、右栅极、源极，电极依次往下是GaN盖层、AlGaN势垒层、GaN缓冲层、AlN成核层，硅衬底；

所述的AlN成核层厚度为10nm；

所述的GaN缓冲层厚度为2.5μm；

所述的AlGaN势垒层厚度为20nm；

所述的GaN盖层厚度为2nm；

所述的栅极金属为镍或金，源极和漏极金属分别为钛、铝、镍、金中的一种，

在外延层上进行光刻腐蚀，刻蚀深度在70nm，制作出弹道偏转晶体管；顶漏极开口宽度30nm，三角沟道的宽度50nm，源极沟道宽度70nm，左右漏极与三角沟道的间距50nm，三角沟道距顶部漏极开口处距离10nm，三角沟道的高度60nm，沟道边缘与三角沟道的间距40nm，左、右漏极的开口宽度70nm。

4.根据权利要求1所述的一种提高压力传感器检测灵敏度装置，其特征在于：所述的电阻R_D1和R_D2采用50欧姆的Ni/Cr电阻。