[发明专利]ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法

权利要求书

1.一种表面改性的ITO粉末，其特征在于，

将对由所述ITO粉末构成的压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y并将所述压坯的相对密度设为X时，所述体积电阻率与所述相对密度之间的关系以下述公式（1）来拟合，在该公式（1）中，a为5.0×10^-3以下，且n为-10以上

Y=aXⁿ（1）。

2.一种ITO粉末的制造方法，其为权利要求1所述的ITO粉末的制造方法，其包括如下工序：

在3价铟化合物和4价锡化合物的混合水溶液中混合碱性水溶液来生成铟与锡的共沉淀氢氧化物；以纯水或离子交换水清洗所述共沉淀氢氧化物；去除所述共沉淀氢氧化物的上清液来制备分散有铟锡氢氧化物颗粒的浆料；干燥所述浆料；及烧成所述干燥的铟锡氢氧化物来获得铟锡氧化物，

所述制造ITO粉末的方法的特征在于，

在所述清洗的工序中，清洗至所述上清液的电阻率至少达到5000Ω·cm，

在所述浆料的制备工序中，将去除了所述上清液的浆料以水进行稀释以使所述氢氧化物颗粒的浓度成为10～30质量%的范围后，在搅拌的同时向所述浆料中添加相对于所述氢氧化物颗粒100质量%为0.1～5质量%的范围的有机保护剂，

在所述烧成的工序之后，粉碎已烧成的ITO粉末的聚集体，将该粉碎的ITO粉末浸渍于表面处理液后，在氮气气氛下，在200～400℃的范围加热0.5～5小时。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

所述有机保护剂为棕榈基二甲基乙基铵乙基硫酸盐、聚乙烯醇或辛基二甲基乙基铵乙基硫酸盐。

4.一种ITO粉末的制造方法，其为权利要求1所述的ITO粉末的制造方法，其包括如下工序：

在3价铟化合物和4价锡化合物的混合水溶液中混合碱性水溶液来生成铟与锡的共沉淀氢氧化物；以纯水或离子交换水清洗所述共沉淀氢氧化物；去除所述共沉淀氢氧化物的上清液来制备分散有铟锡氢氧化物颗粒的浆料；干燥所述浆料；及烧成所述干燥的铟锡氢氧化物来获得铟锡氧化物，

所述制造ITO粉末的方法的特征在于，

在所述清洗的工序中，清洗至所述上清液的电阻率至少达到5000Ω·cm，

在所述浆料的制备工序中，将去除了所述上清液的浆料以水进行稀释以使所述氢氧化物颗粒的浓度成为10～30质量%的范围后，在搅拌的同时向所述浆料中添加相对于所述氢氧化物颗粒100质量%为0.1～5质量%的范围的有机保护剂，

在所述干燥的工序中，对添加有所述有机保护剂且分散有铟锡氢氧化物的浆料进行干燥，

在所述烧成的工序中，在大气中以2.45GHz～28GHz的微波进行加热烧成，

在所述烧成的工序之后，粉碎已烧成的ITO粉末的聚集体，将该粉碎的ITO粉末浸渍于表面处理液后，在氮气气氛下，在200～400℃的范围加热0.5～5小时。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

所述有机保护剂为棕榈基二甲基乙基铵乙基硫酸盐、聚乙烯醇或辛基二甲基乙基铵乙基硫酸盐。

6.一种ITO粉末的制造方法，其为权利要求1所述的ITO粉末的制造方法，其包括如下工序：

在3价铟化合物和4价锡化合物的混合水溶液中混合碱性水溶液来生成铟与锡的共沉淀氢氧化物；以纯水或离子交换水清洗所述共沉淀氢氧化物；去除所述共沉淀氢氧化物的上清液来制备分散有铟锡氢氧化物颗粒的浆料；干燥所述浆料；及烧成所述已干燥的铟锡氢氧化物来获得铟锡氧化物，

所述制造ITO粉末的方法的特征在于，

在所述清洗的工序中，清洗至所述上清液的电阻率至少达到5000Ω·cm，

在所述浆料的制备工序中，将去除了所述上清液的浆料以醇进行稀释以使所述氢氧化物颗粒的浓度成为1～5质量%的范围后，在搅拌的同时向所述浆料中添加相对于所述氢氧化物颗粒100质量%为0.1～5质量%的范围的有机保护剂，

在所述烧成的工序中，向加热至250～800℃的范围的管式炉的内部，在使氮气以0.5～5m/s的范围的线速度流通的状态下，将以所述醇稀释且添加有所述有机保护剂并且分散有铟锡氢氧化物颗粒的浆料进行喷雾，从而在所述管式炉内热分解并烧成铟锡氢氧化物颗粒来获得铟锡氧化物颗粒。