[发明专利]铸锭晶种熔化高度控制方法及多晶硅铸锭炉

权利要求书

1.一种铸锭晶种熔化高度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

控制热场，使铺设在坩埚内的晶种及晶种上方的多晶硅原料自上至下逐步熔化；

利用热电偶获取坩埚侧壁上的温度突变信号；

根据获取到的信号判断晶种熔化的高度，在晶种熔化至设定高度时控制热场由熔化阶段跳步进入长晶阶段。

2.根据权利要求1所述的铸锭晶种熔化高度控制方法，其特征在于，所述利用热电偶获取坩埚侧壁上的温度突变信号的步骤中，所述热电偶的测温点距坩埚侧壁的水平距离为0～60mm，距坩埚底部的垂直距离为0～150mm。

3.根据权利要求1所述的铸锭晶种熔化高度控制方法，其特征在于，所述在晶种熔化至设定高度时控制热场由熔化阶段进入长晶阶段的步骤之前，判断晶种熔化至预设的报警高度时进行报警。

4.根据权利要求3所述的铸锭晶种熔化高度控制方法，其特征在于，所述预设的报警高度至少设有一个。

5.根据权利要求1所述的铸锭晶种熔化高度控制方法，其特征在于，所述控制热场，使铺设在坩埚内的晶种及晶种上方的多晶硅原料自上至下逐步熔化的步骤之前，还包括以下步骤：

在坩埚内铺设晶种；

在晶种上方铺设多晶硅原料。

6.一种多晶硅铸锭炉，包括隔热笼、置于所述隔热笼内的热交换台、放置在所述热交换台上的坩埚，其特征在于，所述多晶硅铸锭炉还包括设置在坩埚外侧的热电偶，所述热电偶的测温点与坩埚侧壁接触或间隔设置。

7.根据权利要求6所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，沿所述坩埚高度方向依次布置有一个或多个所述热电偶。

8.根据权利要求6所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述热电偶的测温点距坩埚侧壁的水平距离为0～60mm，距坩埚底部的垂直距离为0～150mm。

9.根据权利要求6所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述坩埚与隔热笼之间还设置有石墨护板，所述热电偶的测温点距坩埚侧壁的水平距离大于所述石墨护板的厚度；或所述石墨护板上对应所述热电偶设有电偶空槽，所述热电偶伸入到所述电偶空槽中。

10.根据权利要求6所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述热电偶固定在所述铸锭炉的炉体或所述隔热笼上。