[发明专利]制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法在审
| 申请号： | 201310295844.9 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104299900A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;王根毅;芮强;黄璇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 截止 绝缘 双极晶体管 方法 | ||
1.一种制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，包括下列步骤：
提供衬底；
在所述衬底正面外延生长形成重掺杂的N型外延层，作为场截止层；
在所述场截止层注入N型杂质；
在所述场截止层上外延生长形成轻掺杂的N型外延层，作为耐压层；
在所述耐压层上制造所述场截止型绝缘栅双极晶体管的正面结构；
将所述衬底自背面开始进行减薄处理；
自所述减薄后的衬底背面进行P型离子注入并退火；
对所述衬底背面进行背面金属化。
2.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述在场截止层注入N型杂质的步骤中，采用离子注入方法或扩散方法。
3.根据权利要求2所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述在场截止层注入N型杂质的步骤之后，进一步包括，在所述场截止层上进行推阱。
4.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述场截止层的厚度的范围为5～200微米，电阻率的范围为0.001～200欧姆·米。
5.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述耐压层的厚度的范围为5～400微米，电阻率的范围为0.001～200欧姆·米。
6.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述正面结构包括栅极结构，栅极结构为平面栅结构、沟槽栅结构，或者是以平面栅或沟槽栅结构为基础含有埋层的栅极结构。
7.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓。
8.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述重掺杂和轻掺杂工艺中所用的杂质为带有施主能级的杂质。
9.根据权利要求8所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，所述带有施主能级的杂质为磷或砷。
10.根据权利要求1所述的制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，在所述衬底正面外延生长形成重掺杂的N型外延层和在所述场截止层上外延生长形成轻掺杂的N型外延层的步骤中，所述外延工艺为气相外延、液相外延、分子束外延或化学分子束外延。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
