[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺制作薄膜晶体管的栅极和透明电极，包括：

提供一基板；

在所述基板表面形成硅岛；

在所述基板形成有硅岛的表面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述基板和所述硅岛；

在所述绝缘层的表面形成透明电极层和栅极层，其中，所述透明电极层位于所述绝缘层和所述栅极层之间；

在所述栅极层表面形成光刻胶层；

使用半灰阶掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半灰阶掩膜板包括第一区域、第二区域和第三区域，且所述第一区域和第二区域的透光性能相反，所述第三区域是半透光区域；

显影去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的光刻胶层，并减薄半灰阶掩膜板的第三区域对应的光刻胶层；

去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的栅极层；

去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的透明电极层和半灰阶掩膜板的第三区域对应的光刻胶层，并减薄半灰阶掩膜板的第二区域对应的光刻胶层；

去除半灰阶掩膜板的第三区域对应的栅极层；

去除半灰阶掩膜板的第二区域对应的光刻胶层，形成透明电极和栅极；

在所述透明电极、栅极和绝缘层的表面形成钝化层，并在所述钝化层和绝缘层内形成过孔；

在所述基板形成有钝化层的表面形成源极和漏极，所述源极通过所述钝化层和绝缘层内的过孔与所述硅岛的表面接触，所述漏极通过所述钝化层和绝缘层内的过孔与所述硅岛和所述透明电极接触，完成薄膜晶体管的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述光刻胶层为正性光刻胶层时，所述半灰阶掩膜板的第一区域为透光区域，第二区域为不透光区域。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述光刻胶层为负性光刻胶层时，所述半灰阶掩膜板的第一区域为不透光区域，第二区域为透光区域。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的栅极层的方法为湿法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的透明电极层和半灰阶掩膜板的第三区域对应的光刻胶层，并减薄半灰阶掩膜板的第二区域对应的光刻胶层的方法为干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除半灰阶掩膜板的第三区域对应的栅极层的方法为湿法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述薄膜晶体管是多晶硅薄膜晶体管时，在所述基板表面形成硅岛的方法包括：在所述基板表面形成多晶硅层；通过光刻工艺刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅岛。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述薄膜晶体管是多晶硅薄膜晶体管时，在所述基板表面形成硅岛的方法包括：在所述基板表面形成非晶硅层；通过光刻工艺刻蚀所述非晶硅层，形成非晶硅岛；激光处理所述非晶硅岛，使所述非晶硅岛晶化为多晶硅岛。

9.一种根据权利要求1-8任一项所述的制作方法制作的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极和透明电极通过一次光刻完成，且所述薄膜晶体管通过四次光刻形成。