[发明专利]离子源系统和离子束流系统有效
| 申请号： | 201310297942.6 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299871A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/302 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 朱水平;王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子源 系统 离子束 | ||
1.一种离子源系统，包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，从而在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。
2.如权利要求1所述的离子源系统，其特征在于，所述离子源反应腔还具有若干狭缝开口，所述狭缝开口均处于所述离子源反应腔的同一侧，每个狭缝开口均还对应一引出电极组的引出狭缝，每个引出电极组引出的离子束流相互重叠。
3.如权利要求1所述的离子源系统，其特征在于，所述离子源反应腔还具有若干狭缝开口，所述狭缝开口均处于所述离子源反应腔的同一侧，每个狭缝开口均还对应所述引出电极组的一引出狭缝，所述引出电极组的每个引出狭缝引出的离子束流相互重叠。
4.如权利要求1所述的离子源系统，其特征在于，所述离子源系统还包括若干离子源反应腔，每个离子源反应腔均具有一个狭缝开口，每个狭缝开口方向均相同，每个狭缝开口均还对应一引出电极组的引出狭缝，每个引出电极组引出的离子束流相互重叠。
5.如权利要求1所述的离子源系统，其特征在于，所述离子源系统还包括若干离子源反应腔，每个离子源反应腔均具有一个狭缝开口，每个狭缝开口方向均相同，每个狭缝开口均还对应所述引出电极组的一引出狭缝，所述引出电极组的每个引出狭缝引出的离子束流相互重叠。
6.如权利要求2-4中任一项所述的离子源系统，其特征在于，所述引出电极组的引出狭缝均在狭缝方向上相互平行，在狭缝方向的垂直方向上共线。
7.如权利要求6所述的离子源系统，其特征在于，经过所述引出电极组的离子束流在狭缝方向的垂直方向上的束流发散角度为0°–45°。
8.如权利要求6所述的离子源系统，其特征在于，所述离子源反应腔为间热式离子源反应腔、伯纳式离子源反应腔或弗利曼式离子源反应腔。
9.一种离子束流系统，其特征在于，所述离子束流系统使用如权利要求1-8中任一项所述的离子源系统。
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