[发明专利]集成多层磁阻传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁场传感器(30；110；120；120’；150；170)，包括：

芯片(100)，包括具有第一表面(51a)和第二表面(51b)的衬底(51)以及覆盖所述第一表面(51a)的绝缘层(78)；

第一磁阻器(33；114c；124c)，在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA)；

第二磁阻器(35；114a；124a)，在所述绝缘层中延伸并且具有主磁化轴线(EA)和副磁化轴线(HA)，所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述主磁化轴线(EA)在横切于所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述主磁化轴线(EA)的方向上延伸，并且所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述副磁化轴线(HA)在横切于所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述副磁化轴线(HA)的方向上延伸；

第一磁场发生器(32；112c；122c)，被配置为用于产生具有沿着所述第一磁阻器(33；114c；124c)的所述主磁化轴线的场线的第一磁场；以及

第二磁场发生器(31；112a；122a)，被配置为用于产生具有沿着所述第二磁阻器(35；114a；124a)的所述主磁化轴线的场线的第二磁场，

所述传感器的特征在于，所述第一磁阻器和所述第二磁阻器(33，35；114c，114a；124c，124a)以距所述第一表面(51a)彼此不同的相应的第一距离和第二距离在所述绝缘层中延伸。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述第一磁场发生器(112c)和所述第二磁场发生器(112a)包括相互共面的相应的第一传导条带和第二传导条带，所述第一传导条带和所述第二传导条带在第一交叉区域(113a-113d)中彼此电耦合。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述第一磁场发生器和所述第二磁场发生器(31，32；122c，122a)包相应的括第一传导条带(31a；122c；126c)和第二传导条带(32a；126a；122a)，所述第一传导条带(31a；122c；126c)和所述第二传导条带(32a；126a；122a)以距所述第一表面(51a)彼此不同的相应的第三距离和第四距离在所述绝缘层中延伸。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第一磁场发生器的所述第一传导条带(32a；122c)和所述第二磁场发生器的所述第二传导条带(31a；126a)在所位于的相应平面上的所述绝缘层中延伸，沿着正交于所述所位于的相应平面的第一方向(Z)至少部分地彼此对准。

5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述第一磁阻器(33)和所述第二磁阻器(35)延伸到所位于的相应平面上的所述绝缘层中，沿着所述第一方向(Z)至少部分地彼此对准。

6.根据前述任一权利要求所述的传感器，其中所述第一传导条带(32a；122c)在可偏置的传导端子之间延伸以便在所述第一传导条带中产生在第一传导方向(Y)上的电流(ip’，iSR，iOFF)，并且其中所述第二传导条带(31a；126a)在可偏置的传导端子之间延伸以便在所述第二传导条带中产生在第二传导方向(X)上的电流(ip”，iSR，iOFF)，所述第一磁阻器(33；124c)的所述主磁化轴线正交于所述第一传导方向(Y)，并且所述第二磁阻器(35；124a)的所述主磁化轴线正交于所述第二传导方向(X)。

7.根据前述任一权利要求所述的传感器，其中所述第一磁场发生器(32；122c)包括：

相互共面的多个第一传导条带(32a，32b；122c)；以及

第一电连接部分(32c；126c)，

所述多个第一传导条带(32a，32b；122c)中的所述第一传导条带借由在所述绝缘层中延伸的传导通孔而电耦合至所述第一电连接部分(32c；126c)的相应区域。