[发明专利]快闪存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成隧道介质层，所述隧道介质层包括凸起，所述凸起定义浮置栅极的位置，所述隧道介质层的材料为低k材料，低k材料为无定形碳氮、多晶硼氮、氟硅玻璃、多孔SiOCH和多孔金刚石中的一种或几种；

在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极，所述浮置栅极覆盖所述凸起的上表面和侧壁，所述栅间介质层的材料为高k材料。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述隧道介质层的形成方法包括：

在所述基底上形成第一介质材料层；

图形化所述第一介质材料层，图形化的第一介质材料层定义凸起的位置；

在所述基底和图形化的第一介质材料层上采用淀积法或热氧化法形成第二介质材料层；

图形化的第一介质材料层和第二介质材料层构成隧道介质层。

3.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述隧道介质层的形成方法包括：

在所述基底上形成介质材料层；

在所述介质材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义凸起的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀部分厚度的所述介质材料层，形成隧道介质层。

4.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述隧道介质层的形成方法包括：

在所述基底上形成第一介质材料层；

在所述第一介质材料层上形成具有窗口的掩膜层，所述窗口定义凸起的位置；

以所述掩膜层为掩膜，在所述窗口内填充第二介质材料层，所述第二介质材料层为所述凸起；

所述第一介质材料层和所述第二介质材料层构成所述隧道介质层。

5.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极的方法包括：

在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极材料层、栅间介质材料层和控制栅极材料层；

在所述控制栅极材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义浮置栅极的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述浮置栅极材料层、栅间介质材料层和控制栅极材料层，刻蚀至所述隧道介质层上表面，形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极。

6.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极的方法包括：

在所述隧道介质层上形成浮置栅极材料层；

在所述浮置栅极材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义浮置栅极的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述浮置栅极材料层，形成浮置栅极；

在所述浮置栅极上表面和侧壁，以及所述隧道介质层上表面形成栅间介质层和控制栅极。

7.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述栅间介质层的材料为SiO₂，Si₃N₄，HfSiON、HfO₂、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂和LaAlO中的一种或几种。

8.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述栅间介质层为三层结构，其中中间层的材料为氮化硅，其他两层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮置栅极的材料为多晶硅；

所述控制栅极的材料为多晶硅。