[发明专利]一种可变增益的模拟加法器

说明书

技术领域

本发明涉及模拟集成电路技术领域，涉及一种可变增益的模拟加法器。

背景技术

随着模拟集成电路技术的发展，对芯片的面积和功耗提出了越来越高的要求，需要实现模拟信号处理的电路尽量结构简单、面积小和功耗低。模拟加法器和可变增益放大器是模拟信号处理中常用的两个模块，而且是经常级联在一起使用的，分别独立实现信号的相加和增益的变化功能，两个模块连接之后可以实现信号的相加和增益的变化。因为使用了两个模块，所以电路结构复杂、芯片面积大功耗高。

发明内容

本发明为了解决现有技术的不足，提出了一种可变增益的模拟加法器，同时实现信号的相加和增益变化功能，将大大简化电路结构，减小芯片面积和功耗。

本发明技术方案是：一种可变增益的模拟加法器，包括第一偏置电流源、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻。

其中第一偏置电流源一端连接至电压源VDD，另一端接至第一MOS晶体管的漏极、第一MOS晶体管的栅极、第二MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极；

第一MOS晶体管的漏极连接至自身的栅极，并连接至第二MOS晶体管的栅极和第三MOS晶体管的栅极，第一MOS晶体管的源级连接至地；

第二MOS晶体管的漏极连接至第四MOS晶体管的源级和第五MOS晶体管的源级，第二MOS晶体管的栅极连接至第一MOS晶体管的栅极、第一MOS晶体管的漏极和第三MOS晶体管的栅极，第二MOS晶体管的源级接地，第二MOS晶体管的作用是尾电流源；

第三MOS晶体管的漏极连接至第六MOS晶体管的源级和第七MOS晶体管的源级，第三MOS晶体管的栅极连接至第二MOS晶体管的栅极、第一MOS晶体管的栅极和漏极，第三MOS晶体管的源级接地，第三MOS晶体管的作用是尾电流源；

第四MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第四MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的正向输入端IP，第四MOS晶体管的源级连接至第五MOS晶体管的源级和第二MOS晶体管的漏级；第五MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第五MOS晶体管的栅极连接至第一输入差分信号的反向输入端IN，第五MOS晶体管的源级连接至第四MOS晶体管的源级和第二MOS晶体管的漏级；所述第四MOS晶体管和第五MOS晶体管构成第一输入差分对管；

第六MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的反向输出端Von，第六MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的正向输入端QP，第六MOS晶体管的源级连接至第七MOS晶体管的源级和第三MOS晶体管的漏级；第七MOS晶体管的漏极连接至输出差分信号的正向输出端Vop，第七MOS晶体管的栅极连接至第二输入差分信号的反向输入端QN，第七MOS晶体管的源级连接至第六MOS晶体管的源级和第三MOS晶体管的漏级；所述第六MOS晶体管和第七MOS晶体管构成第二输入差分对管；

第八MOS晶体管的漏极连接至第五电阻相对于Von的另一端，第八MOS晶体管的栅极接控制电压Vb2，第八MOS晶体管的源级连接至第六电阻相对于Vop的另一端；第八MOS晶体管在此起到开关的作用；

第九MOS晶体管的漏极连接至第三电阻相对于Von的另一端，第九MOS晶体管的栅极接控制电压Vb1，第九MOS晶体管的源级连接至第四电阻相对于Vop的另一端；第九MOS晶体管在此起到开关的作用；

第一电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的反向输出端Von；

第二电阻的一端连接至电源VDD，另一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop；

第三电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第九MOS晶体管的漏极；

第四电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop，另一端连接至第九MOS晶体管的源级；

第五电阻的一端连接至输出差分信号的反向输出端Von，另一端连接至第八MOS晶体管的漏极；

第六电阻的一端连接至输出差分信号的正向输出端Vop，另一端连接至第八MOS晶体管的源级；