[发明专利]InN/AlN/玻璃结构的制备方法

权利要求书

1.InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；

2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热玻璃基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在玻璃基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为30～200nm；

3）继续采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将玻璃基片加热至200℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～5）：（80～150），控制气体总压强，电子回旋共振反应沉积制备的InN薄膜，InN薄膜的厚度为200nm～800nm，得到在AlN缓冲层薄膜/玻璃结构上的InN光电薄膜。

2.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述所述玻璃基片为康宁玻璃基片，厚度为0.2mm～0.8mm。

3.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述三甲基铝、三甲基铟的纯度和氮气的纯度均为99.99%。

4.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤1）超声波清洗时间为5分钟；

步骤2）反应室抽真空至9.0×10^-4 Pa，基片加热至600℃，由质量流量计控制三甲基铝与氮气流量分别为1.5sccm（毫升每分）与120sccm，控制气体总压强为1.2Pa，电子回旋共振功率为650W。

5.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤3）反应室抽真空至8.0×10^-4 Pa，由质量流量计控制三甲基铟与氮气的流量，控制气体总压强为1.2Pa，电子回旋共振功率为650W。

6.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤2）AlN缓冲层薄膜厚度为200nm；

步骤3）将基片加热至500℃，三甲基铟与氮气流量分别为2sccm与150sccm，InN薄膜的厚度为800nm。

7.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤2）AlN缓冲层薄膜厚度为30nm；

步骤3）将基片加热至200℃，三甲基铟与氮气流量分别为2sccm与80sccm，InN薄膜的厚度为200nm。

8.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤2）AlN缓冲层薄膜厚度为80nm；

步骤3）将基片加热至300℃，三甲基铟与氮气流量分别为3sccm与120sccm，InN薄膜的厚度为500nm。

9.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤2）AlN缓冲层薄膜厚度为60nm；

步骤3）将基片加热至400℃，三甲基铟与氮气流量分别为4sccm与150sccm，InN薄膜的厚度为700nm。

10.根据权利要求1所述InN/AlN/玻璃结构的制备方法，其特征在于所述步骤2）AlN缓冲层薄膜厚度为50nm；

步骤3）将基片加热至500℃，三甲基铟与氮气流量分别为4sccm与200sccm，InN薄膜的厚度为600nm。