[发明专利]一种R-T-B-M系烧结磁体及其制造方法有效
申请号: | 201310299161.0 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN103377820A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 林喜峰;丁开鸿;王永杰;崔胜利;彭众杰;李文超 | 申请(专利权)人: | 烟台首钢磁性材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F3/16 |
代理公司: | 烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 曲显荣;矫智兰 |
地址: | 265500 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
1.一种R-T-B-M系烧结磁体,其特征在于所述的烧结磁体是由R-T-B-M系合金经熔炼、氢处理、制粉、成型、烧结和时效处理工序制成,其中氢处理、制粉、成型工序是在惰性气体或氮气的保护下进行的;所述的制粉工序不需要加入氧,不需要除去富含稀土元素的超细粉;所述的R是选自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一种元素,T是选自Fe和Co中至少一种元素,B是硼,M是选自Ti、Ni、Nb、Al、V、Mn、Sn、Ca、Mg、Pb、Sb、Zn、Si、Zr、Cr、Cu、Ga、Mo、W和Ta中的至少一种元素;所述的各元素重量百分含量分别为:29%≤R≤35 %,62 %≤T≤70 %,0.1%≤M≤1.8 %,0.9 %≤B≤1.2% ;所述烧结磁体的氧重量百分含量≤0.07%。
2.权利要求1所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于:它包括如下工艺步骤:将R-T-B-M系原材料熔炼成合金,在惰性气体或氮气的保护下进行氢处理、制粉和成型工序,然后进行后续的烧结及时效处理工序;所述的制粉工序不需要加入氧,不需要除去富含稀土元素的超细粉;所述的烧结工序在惰性气体或真空下进行,烧结温度为900~1040℃。
3.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于所述的熔炼工序在真空或惰性气体保护下进行,采用铸锭工艺或速凝薄带工艺。
4.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于所述的氢处理工序中合金吸氢的压力大于0.1MPa,脱氢温度400~600℃。
5.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于所述的制粉工序采用气流磨制粉,制粉前后粉末的成份不变,粉末的粒度为X50≤8μm;气流磨制粉完成后,粉末在惰性气体或氮气的保护下混入润滑剂。
6.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于所述的成型工序包括在惰性气体或氮气保护下进行包括模压和等静压两部分,模压成型过程中的充磁磁场为直流磁场,磁场强度为1.5-2.5T;模压成型完成后毛坯的密度为3.5~4.5g/cm3;成型完成后进行等静压,等静压的压力为100-300MPa,等静压成型完成后毛坯的密度为4.0~5.0g/cm3。
7.根据权利要求2所述的一种R-T-B-M系烧结磁体的制造方法,其特征在于所述的时效处理工序是在惰性气体或真空下进行,一级时效温度为800~900℃,二级时效温度为400~600℃。
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