[发明专利]多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺

权利要求书

1.一种多晶硅的结晶工艺，其特征在于，所述结晶工艺包括：当硅料处于固态硅与液态硅的共存物的状态时，保持铸锭炉内顶部的温度，以继续熔化所述固态硅，并逐步降低所述铸锭炉内底部的温度，以使所述液态硅再结晶形成多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的结晶工艺，其特征在于，所述固态硅与所述液态硅的比值区间为(0,16]·]]>

3.根据权利要求1所述的结晶工艺，其特征在于，所述铸锭炉内的加热器（10）恒温加热，以保持所述铸锭炉内顶部的温度。

4.根据权利要求1所述的结晶工艺，其特征在于，逐步增大所述铸锭炉内底部的散热窗口（20）的开度，以逐步降低所述铸锭炉内底部的温度。

5.一种多晶硅的铸锭工艺，其特征在于，包括：

步骤S1：将硅料放置在铸锭炉的坩埚（30）内，通过加热器（10）对所述硅料进行加热；

步骤S2：逐步提高所述加热器（10）的加热温度，直至所述硅料形成固态硅与液态硅的共存物为止；

步骤S3：所述固态硅与所述液态硅分层，且所述固态硅位于所述液态硅的上层；

步骤S4：根据权利要求1至4中任一项所述的结晶工艺，对所述固态硅与所述液态硅的共存物进行结晶处理，以形成多晶硅锭；

步骤S5：对所述多晶硅锭进行后处理。

6.根据权利要求5所述的铸锭工艺，其特征在于，在所述步骤S1中将所述铸锭炉的炉温提升至第一温度，并保持所述铸锭炉内底部的散热窗口（20）呈关闭状态。

7.根据权利要求6所述的铸锭工艺，其特征在于，所述步骤S2还包括：

步骤S21：将所述铸锭炉的炉温由所述第一温度提升至第二温度，并保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口（20）呈关闭状态；

步骤S22：将所述铸锭炉的炉温由所述第二温度提升至第三温度，并继续保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口（20）呈关闭状态。

8.根据权利要求7所述的铸锭工艺，其特征在于，在所述步骤S3中保持所述铸锭炉的炉温为所述第三温度，并继续保持所述铸锭炉内底部的所述散热窗口（20）呈关闭状态。

9.根据权利要求5所述的铸锭工艺，其特征在于，所述步骤S5包括步骤S51：降低所述铸锭炉的炉温，并关闭所述铸锭炉内底部的所述散热窗口（20），使所述铸锭炉的底部温度升高，以消除所述多晶硅锭的内应力。

10.根据权利要求9所述的铸锭工艺，其特征在于，所述步骤S5还包括在所述步骤S51之后的步骤S52：降低所述铸锭炉的炉温，以对所述多晶硅锭进行冷却，而后将所述多晶硅锭从所述铸锭炉内取出。