[发明专利]阵列基板制备方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和形成存储电容的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，且由非晶硅层通过一次离子注入工艺、并经过激光照射工艺对形成所述非晶硅层的非晶硅材料进行晶化以及对掺杂离子进行激活而形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：

步骤S10：在所述基板上形成缓冲层；

步骤S11：在所述缓冲层上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行构图工艺，形成包括非晶硅岛的图形；

步骤S12：在完成步骤S11的所述基板上，以光刻胶形成光阻掩模，在所述非晶硅岛中设定出待掺杂区，并对所述待掺杂区通过一次离子注入工艺注入掺杂离子，其中，所述待掺杂区包括待形成所述源极的源极区、待形成所述漏极的漏极区和待形成所述第一极板的极板区；

步骤S13：在完成步骤S12的所述基板上通过激光照射工艺对所述非晶硅岛进行照射，使所述非晶硅岛转变为多晶硅岛，并对所述源极、所述漏极和所述第一极板中的掺杂离子进行激活；

步骤S14：在完成步骤S13的所述基板上,形成包括栅绝缘层、栅极和第二极板的图形，所述栅极与所述源极、所述漏极在正投影方向上至少部分重叠，所述第二极板与所述第一极板在正投影方向上至少部分重叠。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：

步骤S20：在所述基板上形成缓冲层；

步骤S21：在所述缓冲层上形成包括栅极、第二极板和栅绝缘层的图形；

步骤S22：在完成步骤S21的所述基板上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行构图工艺，形成包括非晶硅岛的图形；

步骤S23：在完成步骤S22的所述基板上，以光刻胶形成光阻掩模，在所述非晶硅岛中设定出待掺杂区，并对所述待掺杂区通过一次离子注入工艺注入掺杂离子，其中，所述待掺杂区包括待形成所述源极的源极区、待形成所述漏极的漏极区和待形成所述第一极板的极板区；所述栅极与所述源极、所述漏极在正投影方向上至少部分重叠，所述第二极板与所述第一极板在正投影方向上至少部分重叠；

步骤S24：在完成步骤S23的所述基板上通过激光照射工艺对所述非晶硅岛进行照射，使所述非晶硅岛转变为多晶硅岛，并对所述源极、所述漏极和所述第一极板中的掺杂离子进行激活。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，以光刻胶形成光阻掩模，在所述非晶硅岛中设定出待掺杂区，并对所述待掺杂区通过一次离子注入工艺注入掺杂离子具体包括如下步骤：

步骤S30：在形成包括所述非晶硅岛的图形的所述基板上形成一层光刻胶；

步骤S31：采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶对应着所述源极区、所述漏极区和所述极板区的部分被完全去除，而其他部分被完全保留；

步骤S32：通过一次离子注入工艺，在所述源极区、所述漏极区和所述极板区注入掺杂离子；

步骤S33：将剩余的光刻胶剥离。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括具有质量分析仪的离子注入工艺、不具有质量分析仪的离子云式注入工艺、等离子注入工艺或固态扩散式注入工艺，其中，注入介质为含硼元素和/或含磷元素气体，注入能量范围为10-200keV，注入剂量范围为1×10¹¹-1x10²⁰atoms/cm³。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射工艺为准分子激光工艺，所述激光照射工艺包括两次激光照射处理，第一次激光照射处理使得所述非晶硅岛被晶化从而转变为多晶硅岛，第二次激光照射处理激活多晶硅岛中在离子注入工艺中注入的掺杂离子，以对所述源极、所述漏极和所述第一极板中的掺杂离子进行激活。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述准分子激光工艺中采用的激光器包括：ArF激光器、KrF激光器或XeCl激光器，所述ArF激光器的激光波长为193nm，所述KrF激光器的激光波长为248nm，所述XeCl激光器的激光波长为308nm；所述ArF激光器、所述KrF激光器和所述XeCl激光器的脉宽范围为10-50ns。