[发明专利]一种光电检测痕量二氧化氮的方法无效

专利信息
申请号: 201310301212.9 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN103344568A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 祖佰祎;窦新存;陆彬;郭亚楠;杨政;郭林娟 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: G01N21/17 分类号: G01N21/17
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 光电 检测 痕量 二氧化氮 方法
【权利要求书】:

1.一种光电检测痕量二氧化氮的方法,其特征在于该方法涉及的电阻式传感器是由陶瓷基底(1)、固定电极(2)、敏感材料(3)、加热器及热电偶(4)、信号处理器(5)和光源(6)组成,利用电阻式传感器的敏感材料的光电导效应,使用200-800 nm波长范围的光照射敏感材料(3),通过敏感材料(3)的电阻变化检测痕量二氧化氮,具体操作按下列步骤进行:

a、在陶瓷基底(1)上固定电极(2),通过敏感材料(3)将电极(2)连通,电极(2)与信号处理器(5)连接,加热器及热电偶(4)固定在陶瓷基底(1)的底部,构成电阻式传感器;

b、将光源(6)波长范围在200-800 nm之间的发光二极管、Xe灯、Hg灯或激光光源固定在步骤a制作的传感器上方,将传感器置于含有已知浓度的NO2气氛中,于室温至500℃,在光源(6)0-100 W/m2光强条件下,照射敏感材料(3),以敏感材料(3)的电阻变化为信号,对传感器进行标定;

c、将传感器置于含有未知浓度的NO2的气氛中,于室温至500℃,在光源(6)0-100 W/m2光强条件下,对痕量NO2进行光电检测。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤a敏感材料(3)中为单一成分半导体材料氧化镍、氧化钼、氧化亚铜、三氧化钨、二氧化锡、氧化锌或碳纳米管;异质结半导体材料为二氧化锡/氧化锌;复合半导体材料为氧化钇稳定氧化锆或二氧化钛/石墨烯。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤b光源(6)的波长范围在200-800 nm之间,且光源(6)光子能量大于或等于敏感材料(3)中异质结半导体材料或复合半导体材料禁带宽度较小的半导体材料的禁带宽度。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤b和步骤c中光源(6)发出复色光时,使用光栅、滤波片、透镜和反射镜将光线处理为单色光。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤b中光源(6)为发光二极管。

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