[发明专利]一种制备铜铝硫光电薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备铜铝硫光电薄膜的方法，包括如下顺序的步骤： 

a.玻璃基片或硅基片的清洗； 

b.将0.8～1.5份CuCl₂·2H₂O、1.7～3.3份Al(NO₃)₃·9H₂O放入30～120份溶剂中，使溶液中的物质均匀混合； 

c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品； 

d.将0.375份的升华硫放入有水合联氨的可密闭容器，使升华硫与水合联氨混合； 

e.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入步骤d所得有水合联氨和升华硫的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～60h小时，然后冷却到室温取出； 

f.将步骤e所得产物，进行自然干燥，得到铜铝硫光电薄膜。 

2.如权利要求1所述的一种制备铜铝硫光电薄膜的方法，其特征在于，步骤a所述清洗，是将玻璃基片大小为2mm×2mm，按体积比放入三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再将玻璃片放入丙酮∶蒸馏水＝5∶1的溶液中，超声波清洗；再在蒸馏水中将玻璃基片用超声振荡；将上述得到的玻璃基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。 

3.如权利要求1所述的一种制备铜铝硫光电薄膜的方法，其特征在于，步骤c所述均匀涂抹的基片，是在匀胶机上涂抹，匀胶机以200～3500转/分旋转，然后对基片进行烘干后，再次如此重复5～15次，得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。