[发明专利]一种金属纳米叉指光栅的制备方法

权利要求书

1.一种金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：在清洗好的衬底基片上，采用镀膜设备生长金属膜；

步骤B：对所述金属膜旋涂光刻胶，采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅；

步骤C：采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上；

步骤D：洗去金属膜和叉指光栅上的残胶，以及去掉上面的残留有机物。

2.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述衬底基板清洗完毕之后，需将其放置于热板上烘烤5-10min。

3.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述金属膜的厚度为30-80nm。

4.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤B中，所述光刻胶为对电子敏感光刻胶，且旋涂光刻胶之后，采用热板或烘箱对涂有光刻胶烘烤1-2min，烘烤温度为180°。

5.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤C中，对光刻胶和衬底均有刻蚀效果。

6.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤A中：对所述衬底基片的清洗是依次采用丙酮、酒精、二次去离子水进行三步超声清洗，每步各清洗3-5min,然后再使用氮气枪吹干。

7.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤A中，生长金属膜之前，先在衬底基片上先生长一层铬或钛过渡层，然后再在此过渡层上生长金属膜。

8.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤B中，通过更改曝光剂量来调整光栅图形的尺寸，且曝光结束之后进行显影和定影，显影时间40s，定影时间30s。

9.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤C中，离子束刻蚀与样品台的刻蚀角度为10-30°，离子能量为250eV-350eV，离子束刻蚀时间2min-3min。

10.根据权利要求1所述的金属纳米叉指光栅的制备方法，其特征在于，在步骤D中，是在热丙酮溶液中洗去金属膜和叉指光栅上的残胶，使用微波等离子体去胶机去掉残留有机物。