[发明专利]电荷流元件有效
| 申请号： | 201310301737.2 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103578542B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | F·玛里内特;P·福尔纳拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 元件 | ||
1.一种电荷流元件，包括在绝缘支撑物上的第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，所述电介质层具有能够通过隧道效应让电荷流动的至少一个部分，其中所述电极中的至少一个电极由未掺杂多晶硅制成。
2.根据权利要求1所述的元件，其中所述电极之一由重掺杂多晶硅制成。
3.根据权利要求1所述的元件，其中两个电极由未掺杂多晶硅制成。
4.根据权利要求1所述的元件，其中所述电介质层包括氧化物-氮化物-氧化物堆叠，所述至少一个部分由氧化硅制成。
5.根据权利要求1所述的元件，具有在所述两个电极之间的、范围在1*10-15与10*10-15法拉之间的电容。
6.一种将根据权利要求1所述的元件用于时间测量的用途。
7.一种用于时间测量的电荷留置电路，包括：
根据权利要求1所述的电荷流元件；以及
连接到所述电荷流元件的电容电荷存储元件。
8.根据权利要求7所述的电路，其中所述电容存储元件具有范围在10-12与100*10-12法拉之间的电容。
9.根据权利要求7所述的电路，还包括连接到与所述存储元件和所述流元件共同的浮置节点的电容初始化元件。
10.根据权利要求9所述的电路，其中所述电容初始化元件具有范围在10*10-15与100*10-15法拉之间的电容。
11.一种在半导体衬底以内和上面形成的集成电路芯片，包括非易失性存储器单元、逻辑块和根据权利要求7所述的电路，所述逻辑块包括MOS晶体管。
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