[发明专利]一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法

权利要求书

1. 一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；

（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；

（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体； 

（4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。

2.根据权利要求1所述的一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于所述步骤（1）具体为：在三氯氧磷中加入1%-5%的三氯化磷作为磷源。

3.根据权利要求1所述的一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于所述步骤（2）具体为：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内，在炉管内温度稳定在800-900℃时，通入5-10min氧气，速度为500-2000 sccm。

4.根据权利要求1所述的一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于所述步骤（3）具体为：通源沉积，通入携带有磷源的氮气，速度为500-2000sccm和氧气，速度为300-1000sccm的混合气体，沉积时间为10-20min。

5.根据权利要求1所述的一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于所述步骤（4）具体为：扩散炉保持800-900℃的温度，持续10-15min，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。