[发明专利]双跨导半导体开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310302600.9 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103337520B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;陈洪维;裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双跨导 半导体 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种双跨导半导体开关器件，其特征在于，所述器件包括：
衬底；
位于所述衬底上的应力缓冲层；
位于所述应力缓冲层上的半绝缘GaN层；
位于所述半绝缘GaN层上的n-GaN沟道层；
位于所述n-GaN沟道层上的AlGaN势垒层，所述n-GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生有二维电子气2DEG沟道；
位于所述AlGaN势垒层上源极区域和漏极区域的源极和漏极、以及位于所述源极区域和漏极区域之间栅极区域上的栅极。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极区域上设有介质层，栅极位于所述介质层上。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述n-GaN沟道层和AlGaN势垒层之间设有AlN插入层。
4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述n-GaN沟道层和AlGaN势垒层之间设有AlN插入层。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层上外延设有GaN冒层。
6.一种如权利要求1所述双跨导半导体开关器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上外延生长应力缓冲层；
在所述应力缓冲层上外延生长半绝缘GaN层；
在所述半绝缘GaN层上外延生长n-GaN沟道层；
在所述n-GaN沟道层上外延生长AlGaN势垒层，所述n-GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生有二维电子气2DEG沟道；
在所述AlGaN势垒层上源极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在所述源极区域和漏极区域之间栅极区域上形成栅极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述应力缓冲层、半绝缘GaN层、n-GaN沟道层和AlGaN势垒层通过MOCVD或MBE方法外延生长。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述源极和漏极分别通过在源极区域和漏极区域上蒸发欧姆接触金属形成，栅极通过在栅极区域上蒸发栅极金属形成。
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