[发明专利]SONOS器件中ONO结构的制造方法有效
| 申请号： | 201310302913.4 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103346128A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;孙天拓 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 器件 ono 结构 制造 方法 | ||
1.一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤S01，制备底层二氧化硅；
步骤S02，制备夹层氮化硅；
步骤S03，制备顶层二氧化硅；
其特征在于：步骤S03包括采用低压自由基氧化法使夹层氮化硅的顶层与自由基反应生成二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：步骤S03包括将氧气和氢气的混合气体通入高温、低压的炉管进行反应。
3.根据权利要求2所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：步骤S03包括氧气与氢气相互反应生成自由基，自由基与氮化硅反应生成二氧化硅。
4.根据权利要求3所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：该自由基包括O*、H*和OH*。
5.根据权利要求4所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：该混合气体中氢气占混合气体总量的5-30%摩尔分数。
6.根据权利要求5所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：该混合气体中氢气占混合气体总量的10-15%摩尔分数。
7.根据权利要求2至6任一项所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：该氧气由单个管道通入炉管，氢气由多个管道通入炉管。
8.根据权利要求7所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：步骤S03通过MFC控制流入炉管内的氧气和氢气流量。
9.根据权利要求8所述的SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于：步骤S03中炉管内反应温度为900-1100℃，压力位0.3-0.4Torr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
