[发明专利]金属阻挡层的成膜方法在审
| 申请号： | 201310304219.6 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299940A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 阻挡 方法 | ||
1.一种金属阻挡层的成膜方法，其特征在于，包括步骤：
1）在硅片上，进行通孔刻蚀；
2）在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一TiN层所构成；
3）在第一TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二TiN层，该第二TiN层中的氧气含量低于第一TiN层；
4）退火处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，刻蚀的方法为干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，形成第一金属阻挡层的方法包括：采用金属物理溅射成膜的方法形成Ti层后，采用金属化学气相沉积的方法形成第一TiN层；
其中，溅射的温度为100～500℃，溅射的压力为1～10torr；沉积的温度为200～600℃，沉积的压力为1～10torr。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，作为底层的Ti层的厚度为500～1000nm；第一TiN层的厚度为10～200nm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，形成第二金属阻挡层的方法包括：采用金属化学气相沉积的方法形成第二TiN层；
其中，沉积的温度为200～600℃，沉积的压力为1～10torr。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，第二TiN层的厚度为10～200nm，并且第二TiN层的厚度大于第一TiN层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，退火处理的方法包括：快速热处理方法；
其中，快速热处理的条件为：热处理的温度500～800℃，压力500～1000torr，热处理的时间为10～60s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
