[发明专利]多晶硅熔丝监控结构及监控方法

权利要求书

1.一种多晶硅熔丝监控结构，包含有一特定长度及宽度的多晶硅熔丝，多晶硅熔丝两端具有第一及第二引出区，其特征在于：

所述多晶硅熔丝两端的第一及第二引出区为多层金属结构，各层金属之间通过通孔或层间连接孔连接；第一引出区还连接第一测试端，第二引出区连接第二测试端；

一导电环带环绕包围多晶硅熔丝及第一、第二引出区，且导电环带与多晶硅熔丝及第一、第二引出区保持一定距离；导电环带并不闭合，其两端口分别连接第三测试端及第四测试端。

2.如权利要求1所述的多晶硅熔丝监控结构，其特征在于：所述的不闭合的导电环带是由有源区、通孔、金属层、金属层间通孔连接到顶层金属构成。

3.如权利要求1所述的多晶硅熔丝监控结构，其特征在于：所述的不闭合的导电环带是链条型的多单元重复连接结构，导电环带中的电流从第一单元的底层有源区通过通孔流向第一层金属，再由金属层间通孔向上流经各金属层直到顶层金属，再流向第二单元的顶层金属，经第二单元的金属层间通孔向下流经各金属层，一直到第二单元的底层有源区，然后再流向下一个单元。

4.如权利要求3所述的多晶硅熔丝监控结构，其特征在于：当不闭合的导电环带与多晶硅熔丝之间的距离调整时，不闭合导电环带的链条单元结构数目不变。

5.如权利要求1所述的多晶硅熔丝监控结构，其特征在于：所述的多晶硅熔丝或者更换为金属熔丝，以监控金属熔丝对周围电路的安全距离。

6.如权利要求1所述的多晶硅熔丝监控结构，其特征在于：所述的监控结构是放置于芯片的划片槽区域。

7.如权利要求1所述的多晶硅熔丝监控结构的监控方法，其特征在于：测试时，是通过监控第一测试端和第二测试端之间的电阻来确定多晶硅熔丝熔断情况，通过监控第三测试端和第四测试端之间的电阻变化来监控多晶硅熔丝熔断对周围电路的影响，并调整得到多晶硅熔丝与不闭合导电环带之间的安全距离。

8.如权利要求7所述的多晶硅熔丝监控结构的监控方法，其特征在于：多晶硅熔丝熔断操作后，若第一测试端和第二测试端之间的电阻变为无穷大，则证明多晶硅熔丝熔断；若第三测试端和第四测试端之间的电阻值在多晶硅熔丝熔断前后不变，则证明多晶硅熔丝熔断对周围电路没有影响，否则产生影响。