[发明专利]一种多层氮化硅膜的制备方法

权利要求书

1.一种多层氮化硅减反膜的制备方法，其特征在于按如下步骤一次进行：

A将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅膜，PECVD设置参数为：氨气流量为3000-4000sccm，硅烷流量为800-1000sccm，压力为200Pa，射频功率为3500-4000w，沉积时间为150-200s。

B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变。

C继续在高折射率减反膜的基础上，再次沉积折射率略低的氮化硅减反膜。PECVD设置参数为：氨气流量为3500-4500sccm，硅烷流量为500-800sccm，压力为200Pa，射频功率为3500-4000w，沉积时间为350-400s。

D重复步骤B。

E在第二层氮化硅减反膜的基础上沉积低折射率氮化硅减反膜，PECVD设置参数为：氨气流量为3800-4500sccm，硅烷流量为400-600sccm，压力为200Pa，射频功率为3500-4000w，沉积时间为250-300s。

2.根据权利要求1所述的一种多层氮化硅膜制备方法，其特征在于：制备的氮化硅减反膜的折射率由高到低成递减规律。

3.根据权利要求1所述的一种多层氮化硅膜制备方法，其特征在于：每层氮化硅减反膜制备完成后，需关闭硅烷流量1-2分钟。