[发明专利]一种高深宽比TSV种子层制作方法

权利要求书

1.一种高深宽比TSV种子层制作方法，其特征在于包括以下步骤： 

在晶圆衬底上进行TSV制作和绝缘层淀积； 

利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；

（3）回流过程，即在真空或低气压环境下加热至200-800℃使铜种子层流动性增加，晶圆正面朝上放置，使铜种子层由TSV口部向下流动，消除TSV底部的侧壁处的铜种子层中断，使得铜种子层沿TSV侧壁和底部均匀分布。

2.根据权利要求1所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述回流过程中辅以等离子体由上而下方向轰击TSV孔。

3.根据权利要求1所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述种子层的材料还可以是钨、铝等。

4.根据权利要求1或2所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述TSV的孔径在5微米以上，深宽比不小于6的范围。

5.根据权利要求1或2所述的TSV种子层制作方法，其特征在于所述低气压环境的气压值小于10²Pa，回流温度在200-800℃范围。

6.根据权利要求1或2所述的TSV种子层制作方法，其特征在于在利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层之前先淀积一层阻挡层。