[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310305879.6 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103579331A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物基半导体器件，其包括：
衬底；
设置在所述衬底上的半绝缘氮化镓（GaN）层；
设置在所述半绝缘GaN层上的氮化铝镓（AlGaN）层；
设置在所述AlGaN层上的未掺杂GaN层；
设置在所述未掺杂GaN层上的硅氮化碳（SixC1-xN）功能层；以及
设置在所述SixC1-xN功能层上的第一氮化硅（SiNx）层。
2.权利要求1的氮化物基半导体器件，还包括：
布置在所述衬底与所述半绝缘GaN层之间的低温碳化硅（SiC）层或GaN层。
3.权利要求1的氮化物基半导体器件，还包括：
布置在所述第一SiNx层上的第二SiNx层。
4.权利要求1的氮化物基半导体器件，其中所述SixC1-xN功能层中的x的取值范围是：0＜x＜1。
5.权利要求1的氮化物基半导体器件，其中所述SixC1-xN功能层包括单晶SixC1-xN、多晶SixC1-xN或无定形SixC1-xN。
6.权利要求1的氮化物基半导体器件，其中所述SixC1-xN功能层的厚度为1nm至50nm。
7.权利要求1的氮化物基半导体器件，其中所述未掺杂GaN层的厚度为1nm至50nm。
8.权利要求1的氮化物基半导体器件，其中所述第一SiNx层的厚度为1nm至50nm。
9.权利要求3的氮化物基半导体器件，其中所述第二SiNx层的厚度为1nm至500nm。
10.权利要求3的氮化物基半导体器件，其中所述AlGaN层包括布置在所述AlGaN层中的二维电子气层。
11.权利要求10的氮化物基半导体器件，还包括：
布置在所述第二SiNx层上的栅电极；
布置在所述SixC1-xN功能层上的源电极，通过所述SixC1-xN功能层的第一区域暴露所述源电极；以及
布置在所述SixC1-xN功能层上的漏电极，通过所述SixC1-xN功能层的第二区域暴露所述漏电极。
12.权利要求10的氮化物基半导体器件，还包括：
布置在所述SixC1-xN功能层上的欧姆电极，通过所述SixC1-xN功能层的第一区域暴露所述欧姆电极；以及
布置在所述SixC1-xN功能层上的肖特基电极，通过所述SixC1-xN功能层的第二区域暴露所述肖特基电极。
13.权利要求10的氮化物基半导体器件，其中通过沿着所述半绝缘GaN层、所述AlGaN层、所述未掺杂GaN层、所述SixC1-xN功能层和所述第一SiNx层各自的一部分延伸的沟槽暴露出所述半绝缘GaN层。
14.权利要求13的氮化物基半导体器件，还包括：
沿着所述沟槽的内表面布置的绝缘层。
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