[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，其上设有浅槽隔离区，在所述浅槽隔离区的外围设有离子注入层；

位于所述衬底上的垫氧化层，其具有隔离区图形，并且所述隔离区图形暴露出浅槽隔离区；

位于所述垫氧化层上的阻挡层，其具有隔离区图形，并且所述隔离区图形暴露出浅槽隔离区；以及

位于所述浅槽隔离区的场氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述离子注入层沿所述浅槽隔离区外围向外横向延伸0.07-0.13um。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述阻挡层为氮化物层。

4.权利要求1-3中任一项所述半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在衬底上形成垫氧化层；

2）在所述垫氧化层上形成具有隔离区图形的阻挡层，且所述隔离区图形能暴露出垫氧化层的表面；

3）注入离子，使离子通过隔离区图形暴露出的垫氧化层表面进入衬底；

4）热处理，使衬底中的离子横向扩散，形成离子注入层；

5）以具有隔离区图形的阻挡层为掩模，刻蚀垫氧化层和离子注入层，使衬底上形成浅槽隔离区；

6）在所述衬底的浅槽隔离区内形成场氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使所述离子在衬底中横向扩散的范围为0.07-0.13um。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子为氮离子，所述离子的注入能量为30-50kev，注入剂量为10¹⁴-10¹⁵/cm²。

7.根据权利要求4-6中任一所述的方法，其特征在于，所述热处理在氮气氛围下进行，热处理的温度为1000-1100℃，时间为60-90分钟。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤2）具体包括：

在所述垫氧化层上形成氮化物层；

在所述氮化物层上涂布光刻胶，通过具有隔离区图形的掩模板进行曝光、显影，形成具有隔离区图形的光刻胶层；

以具有隔离区图形的光刻胶层为掩模刻蚀氮化物层，形成具有隔离区图形的阻挡层，且所述隔离区图形能暴露出垫氧化层的表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

向所形成的具有隔离区图形的阻挡层注入离子，使离子通过隔离区图形暴露出的垫氧化层表面进入衬底，然后去除光刻胶层。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述浅槽隔离区的深度≤0.2um。

11.根据权利要求4-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述垫氧化层的材料为氧化硅，所述氮化物层的材料为氮化硅，所述场氧化层的材料为氧化硅。