[发明专利]电源转换器的驱动器及其驱动控制方法有效
申请号: | 201310306696.6 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104300784B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 陈伟陵 | 申请(专利权)人: | 力智电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明,张洋 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 转换器 驱动器 及其 驱动 控制 方法 | ||
1.一种电源转换器的驱动器,包括:
一位准偏移电路,接收一第一工作电压与一第二工作电压,并且提供一输出信号,其中该输出信号具有该第一工作电压与该第二工作电压,并且该第一工作电压大于该第二工作电压;
一负电压产生器,耦接该位准偏移电路,其中当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第一工作电压时,该负电压产生器输出该第一工作电压,当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第二工作电压时,该负电压产生器产生并输出一第三工作电压,该第三工作电压低于该第二工作电压;以及
一第一P型MOSFET,具有一控制端与一输出端,该第一P型MOSFET的该控制端耦接该负电压产生器的一输出端,该第一P型MOSFET的该输出端提供一驱动电压。
2.根据权利要求1所述的驱动器,其中该第三工作电压介于该第二工作电压与零电压之间。
3.根据权利要求1所述的驱动器,其中该驱动电压相同于该第一工作电压。
4.根据权利要求1所述的驱动器,其中该驱动器还包括:
一上桥驱动单元,耦接该第一P型MOSFET的该输出端,以接收该驱动电压,并用于驱动一上桥开关。
5.根据权利要求1所述的驱动器,其中该负电压产生器包括:
一电容器,其第一端耦接该位准偏移电路的一输出端;
一二极管,其第一端耦接该电容器的第二端,其第二端接收该第二工作电压;以及
一反相器,其输入端耦接该二极管的第二端,其输出端作为该负电压产生器的输出端,其第一电源输入端耦接该位准偏移电路的该输出端与该电容器的第一端,其第二电源输入端耦接该二极管的第一端。
6.根据权利要求5所述的驱动器,其中当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第二工作电压时,该第三工作电压产生于一共同节点,该共同节点为该二极管与该电容器耦接处。
7.根据权利要求5所述的驱动器,其中一第一N型MOSFET经配置而成为该二极管,将该第一N型MOSFET的控制端与第一端耦接以作为该二极管的第一端,将该第一N型MOSFET的第二端作为该二极管的第二端。
8.根据权利要求5所述的驱动器,其中一第二P型MOSFET与一第二N型MOSFET经配置而成为该反相器,将该第二P型MOSFET的控制端与该第二N型MOSFET的控制端耦接以作为该反相器的输入端,将该第二P型MOSFET的第二端作为该反相器的第一电源输入端,将该第二N型MOSFET的第二端作为该反相器的第二电源输入端,该第二P型MOSFET的第一端与该第二N型MOSFET的第一端耦接以作为该反相器的输出端。
9.根据权利要求5所述的驱动器,其中当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第二工作电压时,该第一P型MOSFET的一输入端至该控制端之间跨压与该第二工作电压的关系如下方程式:
VSG=2×(VCC-VSW)-Vf,且VSG>VCC-VSW,
其中VSG为跨压,VCC为该第一P型MOSFET的该输入端所接收的一第四工作电压,VSW为该第二工作电压,Vf为该二极管的顺向偏压。
10.一种电源转换器的驱动控制方法,包括:
提供一位准偏移电路,该位准偏移电路接收一第一工作电压与一第二工作电压,并且提供一输出信号,其中该输出信号具有该第一工作电压与该第二工作电压,并且该第一工作电压大于该第二工作电压;
提供一负电压产生器,当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第一工作电压时,该负电压产生器输出该第一工作电压,当该负电压产生器所接收到的该输出信号为该第二工作电压时,该负电压产生器产生并输出一第三工作电压,该第三工作电压低于该第二工作电压;以及
提供一第一P型MOSFET,该第一P型MOSFET的一控制端耦接该负电压产生器的一输出端,该第一P型MOSFET的一输出端提供一驱动电压。
11.根据权利要求10所述的驱动控制方法,其中该第三工作电压介于该第二工作电压与零电压之间。
12.根据权利要求10所述的驱动控制方法,其中该驱动电压相同于该第一工作电压。
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