[发明专利]频率可调的MEMS谐振器有效
申请号: | 201310306960.6 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN103338022A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 骆伟;赵晖;袁泉;杨晋玲;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;H03H9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 频率 可调 mems 谐振器 | ||
1.一种频率可调的MEMS谐振器,包括:
一谐振单元,为圆盘形、圆环形或对称多边形结构,其中心为振动位移节点,该谐振单元由一位于位移节点处的支撑锚点支撑,该谐振单元的表面设有多个微结构;
多个电极,其位于谐振单元的外围或上方,各电极之间有一间隙,各电极与谐振单元之间直接接触或有一间隙。
2.根据权利要求1所述的频率可调的MEMS谐振器,其中谐振单元的材料为硅基材料、压电材料或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的频率可调的MEMS谐振器,其中谐振单元上的微结构沿谐振单元的等半径圆周均匀分布。
4.根据权利要求3所述的频率可调的MEMS谐振器,其中谐振单元上的微结构是小孔或齿状结构,通过改变微结构与驱动电极的相对位置,以激励不同的谐振模态,从而获得不同的频率输出,改变微结构的个数、形状大小以及在谐振单元中的位置,从而获得不同的频率调节范围。
5.根据权利要求1所述的频率可调的MEMS谐振器,其中电极材料为金属或导电掺杂硅。
6.根据权利要求5所述的频率可调的MEMS谐振器,其中电极和谐振单元之间的间隙是空气填充或固态介质填充或空气和固态介质共同填充。
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