[发明专利]一种改进的大功率半导体模块的注塑封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种改进的大功率半导体模块的注塑封装结构，其特征在于，在金属底板（2）上焊接陶瓷绝缘片（3），在陶瓷绝缘片（3）上面间隔焊接公用电极（7）和二号芯片阳极引出电极（10），在公用电极（7）上连接一号半导体芯片（4）和一号芯片阴极过桥（6），一号芯片阴极引出（5）从一号芯片阴极过桥（6）上引出；二号半导体芯片（9）焊接在二号芯片阳极引出电极（10）上，焊在二号半导体芯片（9）顶面上的二号芯片阴极过桥（8）与公用电极（7）相连，所述两个阴极过桥将两个半导体芯片连接在一起，门阴极引出端子（11）经过塑封后固定在塑料外壳上，焊接在二号半导体芯片或一号半导体芯片顶面的门极和阴极内部引出线（12）由门阴极引出端子（11）从塑料外壳（1）顶面伸出。

2.根据权利要求1所述改进的大功率半导体模块的注塑封装结构，其特征在于，所述公用电极（7）、一号芯片阴极引出（5）和二号芯片阳极引出（10）均从塑料外壳（1）顶面伸出。

3.根据权利要求1所述改进的大功率半导体模块的注塑封装结构，其特征在于，所述半导体模块的厚度为10~12mm或更薄。

4.一种改进的大功率半导体模块的注塑封装的封装方法，其特征在于，具体步骤如下：

1）在金属底板上焊接陶瓷绝缘片，在陶瓷绝缘片上按照大功率半导体模块的组成结构组装成裸芯，

2）在裸芯上涂敷或灌封电子硅凝胶保护，厚度为0.5~1mm， 

3）上注塑机一次注塑封装,注塑材料为高导热pps，阻燃温度为260℃，注塑温度为320℃，压力为80kg，

4）公用电极（7）、一号芯片阴极引出（5）、二号芯片阳极引出（10）和门阴极引出端子（11）均从塑料外壳（1）顶面伸出。