[发明专利]大面积硅旁路二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201310308162.7 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332402B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 梁存宝;杜永超;欧伟;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/285 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大面积 旁路 二极管 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.大面积硅旁路二极管的制备方法，包括在衬底一面去掉氧化层后进行硼扩散形成硼扩散层，衬底另一面边缘留出一圈氧化层作为氧化环后，去掉氧化环圈内衬底上的氧化层后进行磷扩散形成磷扩散层；磷扩散层上制出上电极、硼扩散层上制出下电极，其特征在于：还包括以下制备过程：
⑴在衬底和氧化环之间的衬底上扩散出一个P+硼隔离环；
⑵在磷扩散层上的上电极为依次蒸镀上电极Ti层、上电极Pd层和上电极Ag层，构成Ti-Pd-Ag上电极系统；
⑶在硼扩散层上的下电极为依次蒸镀下电极Al层、下电极Ti层、下电极Pd层和下电极Ag层，构成Al-Ti-Pd-Ag下电极系统。
2.根据权利要求1所述的大面积硅旁路二极管的制备方法，其特征在于：所述硼扩散层为p+硼重掺层；所述磷扩散层为n+磷重掺层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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