[发明专利]激光供能微型GaAs电池的制造方法

权利要求书

1.激光供能微型GaAs电池的制造方法，包括制备GaAs衬底，其特征在于：在衬底上反结生长外延层后制作子电池；在每个子电池上制作下电极和上电极，用互联电极将相邻子电池的上电极和下电极焊接，形成串联的电池整体，对电池整体表面蒸镀减反射膜、划片，即制成本发明激光供能微型GaAs电池。

2.根据权利要求1所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述衬底为厚度300μm、径向偏离2°的半绝缘GaAs材料。

3.根据权利要求1或2所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述反结生长外延层的过程包括：采用气相外延生长方法，在GaAs衬底上面自下至上依次生长p-GaAs反结层、i-GaAs非掺杂层、n-GaAs缓冲层、n-GaAs窗口层、n-GaAs基区层、p-GaAs发射层3、p-GaAs窗口层和p-GaAs重掺层，形成P-N-N-P反结外延结构；所述子电池的制作过程包括：⑴在p-GaAs重掺层上光刻出隔离槽图形；⑵在隔离槽图形内依次腐蚀掉p-GaAs重掺层、去掉p-GaAs窗口层、p-GaAs发射层、n-GaAs基区层、n-GaAs窗口层、n-GaAs缓冲层、i-GaAs非掺杂层和p-GaAs反结层，直至露出GaAs衬底作为隔离槽底部，被腐蚀掉的部分为隔离槽，未被腐蚀的部分作为子电池。

4.根据权利要求3所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述子电池下电极的制作过程包括：在p-GaAs重掺层上光刻出下电极区域图形，在下电极区域图形内依次腐蚀掉p-GaAs重掺层、去掉p-GaAs窗口层、p-GaAs发射层、n-GaAs基区层和n-GaAs窗口层至露出n-GaAs缓冲层作为蒸镀下电极的下电极区域；在下电极区域自下至上依次蒸镀下电极金下层、下电极锗层、下电极银层和下电极金上层，完成每一个子电池下电极的制作过程。

5.根据权利要求3所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述子电池上电极的制作过程包括：在每一个子电池的p-GaAs重掺层上面光刻出上电极图形，按照上电极图形在p-GaAs重掺层上面自下至上依次蒸镀上电极金下层、上电极银层和上电极金上层，完成每一个子电池上电极10的制作过程。

6.根据权利要求1所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述互联电极为金丝。

7.根据权利要求1所述的激光供能微型GaAs电池的制造方法，其特征在于：所述减反射膜由三氧化二钛测层和一氧化硅层构成。