[发明专利]半导体制程温度量测装置在审
申请号: | 201310308482.2 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN104299925A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 林武郎;郑煌玉;赖威任;王陈右;黄政礼;陈世敏;郭明伦;石玉光 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 温度 装置 | ||
技术领域
本发明系关于一种半导体制程温度量测装置的设计,特别是关于一种可靠度佳的半导体制程温度量测装置。
背景技术
半导体可作为集成电路所用的载体。半导体的制造流程包含了许多种处理方式,包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、及渗透等,以制成具有多层线路的组件,并经由检测、封装,而制成实际可用的集成电路成品。
半导体的制造过程须经过反复进行的热处理,包括热氧化制程、退火处理、AI热压法、热圆滑处理、冷却硬化等,以逐步制造为成品。而为了控制热处理的温度以达到预期制造效果,并且避免温度不当所产生的产品损坏,通常藉由一温度量测装置,以量测半导体制程的温度。
习知的半导体温度量测装置通常使用一热电耦贴附于一温度待测物的表面。然而,温度待测物常会因热处理过程中的温度变化,而产生热胀冷缩,并进一步导致热电耦自温度待测物脱落,如此不但使得温度监控的可靠度不佳,甚至可能会进一步导致热处理的温度控制不当,而影响到半导体的制造良率。
鉴于以上所述,如何避免热电耦等温度量测构件脱离原本的量测位置,系为一项重要的研究课题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种半导体制程温度量测装置,有效地于固定位置量测温度,以改善习知技术的问题。
本发明为解决习知技术的问题所采用的技术手段系为一种半导体制程温度量测装置,包含一受测本体及一温度量测构件。于受测本体上形成有一凹部。温度量测构件的一感应端连接且热接触于受测本体,且感应端为由一黏着对象同时与凹部所包覆。其中受测本体为用于置放半导体的一置物本体,且置物本体为置放半导体而热接触于半导体,或受测本体为半导体。
在本发明的一实施例中,黏着物件凸起于相邻于凹部的一凸部的上表面。
在本发明的一实施例中,凹部的形状选自线形、圆形、同心状、多边形、放射状所组成的群组的其中之一或多个。
在本发明的一实施例中,凹部的宽度在深度方向上由窄渐宽、由宽渐窄、或等宽。
在本发明的一实施例中,多个感应端之间的距离为相同。
在本发明的一实施例中,单一个黏着对象黏着于多个凹部。
在本发明的一实施例中,凹部形成于受测本体的表面。
在本发明的一实施例中,凹部可为以雷射切割方式、蚀刻方式、或铣削方式所形成。
经由本发明所采用的技术手段,藉由黏着对象黏着于受测本体的凹部,使温度量测构件的感应端为热接触连接于受测本体。藉此使黏着对象与受测本体之间的热应力作用更强,而使黏着对象更为卡合于凹部,以让感应端更有效地固定于受测本体,以增强温度监控的可靠度。再者,藉由本发明的设置方式,更可将感应端固定于难以接着的材料上面,并可具有更宽的可靠温度量测范围。此外,更进一步能使得黏着对象与受测本体的使用寿命较长。藉此而有效地调控半导体的环境温度,以提升制造良率。
附图说明
图1系显示依据本发明的一实施例的半导体制程温度量测装置的立体图。
图2系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的立体图。
图3系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
图4系显示依据本发明的另一实施例的受测本体的仰视图。
图5系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
图6系显示依据本发明的另一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
图7系显示依据本发明的再一实施例的半导体制程温度量测装置的剖视图。
图8A至图8F系显示依据本发明的各实施例的凹部的侧视图。
图9A至图9H系显示依据本发明的各实施例的凹部的上视图。
图10A至图10D系显示依据本发明的各实施例的感应端的配置图。
符号说明
100、100a、100b、100c、100d 半导体制程温度量测装置
1、1b、1c、1d 受测本体
11 凹部
12 凸部
2 温度量测构件
21 感应端
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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