[发明专利]一种碳化硅晶须增强氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，其特征在于基体材料为氮化硅陶瓷，增强材料为碳化硅晶须或是碳化硅短切纤维。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料，其特征在于所述的增强材料体积分数为30～45％。

3.一种如权利要求1所述碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下顺序的制备步骤：

①将碳化硅晶须与硅粉按照一定比例混合造粒；

②将烧结助剂、单体交联剂、分散剂、引发剂、催化剂加入到上述混合粉料中，以纯水作为介质，用氧化铝作为球磨介质，按照一定比例加入纯水和氧化铝到尼龙罐中，球磨24～36小时；

③经抽滤、烘干，在110～150℃烘箱中保温5～10小时；

④烘干后的粉料通过200～300目筛子过筛，造粒；

⑤按照实际需要取相应重量的粉料，放置于金属或玻璃包套中，抽真空后，放入烧结炉中准备烧结；

⑥采用热等静压烧结，在热等静压炉中1650～1750℃，5～10MPa，烧结1.5～3小时，降温速度约为每小时600～800℃；

⑦陶瓷对陶瓷外型进行加工；

⑧在氮化炉中进行氮化处理，氮化工艺为1100～1300℃初步氮化，1350-1450℃二次氮化获得，与纯氮化硅陶瓷粉体烧结相比具有烧结温度低的优点。