[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种有机电致发光半导体材料，其分子结构通式为下述（Ⅰ）：

式中，R为H或C₁～C₄的烷基。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光半导体材料，其特征在于：所述C₁～C₄的烷基为甲基或叔丁基。

3.一种制备如权利要求1或2所述的有机电致发光半导体材料的方法，包括如下步骤：

提供如下结构式通式的化合物A、B：

在无氧、碱性环境中和有机金属催化剂、有机溶剂存在的条件下，将所述化合物A与B进行Suzuki偶联反应，得到如下结构通式为（Ⅰ）表示的有机电致发光半导体材料：

其中，化合物B、结构通式（Ⅰ）中的R为H或C₁～C₄的烷基。

4.根据权利要求3所述的制备有机电致发光半导体材料的方法，其特征在于：所述Suzuki偶联反应的温度为75～120℃，反应时间为24～48小时。

5.根据权利要求3所述的制备有机电致发光半导体材料的方法，其特征在于：所述化合物A与B的摩尔比为1:(2～3)。

6.根据权利要求3所述的制备有机电致发光半导体材料的方法，其特征在于：所述有机金属催化剂的用量与化合物A用量的摩尔比为(0.001～0.1):1。

7.根据权利要求3～6任一所述的制备有机电致发光半导体材料的方法，其特征在于：所述有机金属催化剂为有机钯。

8.根据权利要求7所述的制备有机电致发光半导体材料的方法，其特征在于：所述有机钯为四(三苯基膦)钯、双(三苯基膦)二氯化钯、三(二亚苄基丙酮)二钯中至少一种。

9.根据权利要求1至2任一项所述的有机电致发光半导体材料在有机光电材料、聚合物太阳能电池、有机电致发光器件、有机场效应晶体管、有机光存储器件、有机非线性材料或／和有机激光器件中的应用。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光半导体材料的应用，其特征在于：所述有机电致发光器件包括依次层叠结合的阳极层、有机功能层、阴极层，其中，所述有机功能层包括在外加电源的驱动下发光的发光层，且所述发光层材料为如权利要求1至2任一项所述的有机电致发光半导体材料。