[发明专利]一种太赫兹横向肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310310173.9 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367463A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 唐海林;李倩;熊永忠;杜亦佳;陈樟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 杨俊华 |
| 地址： | 621054*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 横向 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，包括半绝缘层（1），凸出于半绝缘层设置的有源区N+层（2），呈梯形台阶状凸出于半绝缘层设置且其梯形下底面与有源区N+层接触的有源区N-层（3），覆盖于半绝缘层上并将有源区N-层和有源区N+层完全覆盖的钝化层（4），在钝化层上光刻出的将有源区N+层侧面和上面环包并在其内淀积有接触金属的欧姆接触区（5），在钝化层上光刻出的与有源区N-层的梯形上底面条状接触并在其内淀积有接触金属的肖特基接触区（6），以及设置在钝化层上与欧姆接触区的接触金属结合的阴极（7）和与肖特基接触区的接触金属结合的阳极（8），其中，有源区N+层在垂直于半绝缘层的纵向上比有源区N-层高0.1~0.5μm。
2. 根据权利要求1所述的一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，所述有源区N+层包括由与半绝缘层相同的材料凸出于半绝缘层设置的N+区，以及在N+区内通过离子注入的Si离子，其中，注入深度为0.3μm ~ 1μm，注入后掺杂浓度为3×1018 cm-3 ~ 8×1019cm-3。
3. 根据权利要求1所述的一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，所述有源区N-层包括由与半绝缘层相同的材料凸出于半绝缘层设置的N-区，以及在N-区内通过离子注入的Si离子，其中，注入深度为0.2μm ~ 0.5μm，注入后掺杂浓度为1×1016 cm-3 ~ 5×1017cm-3。
4. 根据权利要求1所述的一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层由SiO2或/和Si3N4材料制成。
5. 根据权利要求1所述的一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆接触区内的接触金属为依次淀积的Au/Ge/Ni；所述肖特基接触区内的接触金属为依次淀积的Ti/Pt/Au。
6. 根据权利要求1~5任一项所述的一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，所述半绝缘层为GaAs、Si、InP或GaN材料。
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