[发明专利]纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法有效
| 申请号： | 201310310816.X | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103390504A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张敏;杨林;王鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 宽禁带 半导体 表面 分子 缺陷 填充 方法 | ||
【权利要求书】：
1.纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法，其特征在于，包括如下：
（1）将纳米结构的宽禁带半导体电极浸入染料溶液中进行染色；
（2）将上述染色后的半导体薄膜浸入含有填充剂的溶液中进行染料分子层缺陷的填充；所述的染料在填充剂的溶液中的溶解度小于10微摩尔每升。
2.根据权利要求1所述的纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法，其特征在于，所述的染料为C256染料、C219染料、C249染料、C250染料、C106染料或YD2-o-C8染料中的一种，结构式如下：
3.根据权利要求1所述的纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法，其特征在于，所述的填充剂为填充剂I或填充剂II中的一种，填充剂I及填充剂II的结构式如下：
其中C6H13、C12H25分别代表正己基与正十二烷基。
4.权利要求1-3任何一项所述的纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法得到的半导体电极在染料敏化太阳电池中的应用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所，未经中国科学院长春应用化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310310816.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金银花保健茶
- 下一篇：一种被动式空气采样器
