[发明专利]一种晶体硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：

第一导电类型晶体硅层（1）；

覆盖所述第一导电类型晶体硅层（1）正面的第二导电类型晶体硅层（2）；

覆盖所述第二导电类型晶体硅层（2）的遂穿介质膜层（3）；

位于遂穿介质膜层（3）上的至少一个金属前电极（4）和减反射膜层（5）；

其中，所述遂穿介质膜层（3）的厚度范围为0.1nm～10nm。

2.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述遂穿介质膜层（3）的厚度范围为1.5nm～3nm。

3.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述遂穿介质膜层（3）的材质为非掺杂的或掺杂的a-Si:H、a-SiC_x:H、a-SiO_x:H、a-SiN_x:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H、a-AlO_x:H、SiO₂、Al₂O₃、In₂O₃、SnO₂、TiO₂、ZnO中的任意一种或几种的组合。

4.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型晶体硅层（1）的材质为p型单晶硅、p型多晶硅、n型单晶硅或n型多晶硅，电阻率范围为0.5～50Ω/cm，厚度范围为25um～250um。

5.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第二导电类型晶体硅层（2）的方块电阻的范围为30～150Ω/sq，厚度范围为0.15um～1.5um。

6.如权利要求1～5中任一项所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，还包括：

覆盖所述第一导电类型晶体硅层（1）背面的第一导电类型非晶硅层（6）、透明导电膜层（7）和金属背电极（8）。

7.如权利要求6所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型晶体硅层（1）和第二导电类型晶体硅层（2）的导电类型相反，所述第一导电类型非晶硅层（6）和第二导电类型晶体硅层（2）的导电类型相反。

8.如权利要求6所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一导电类型的非晶硅层（6）为掺杂非晶硅层的单层结构，或缓冲过渡层与掺杂非晶硅层形成的双层结构。

9.如权利要求8所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述缓冲过渡层材质为a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H、a-AlO_x:H、SiO₂或Al₂O₃，所述掺杂非晶硅层的材质为掺杂第一导电类型离子的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H中的任意一种或几种组合。

10.如权利要求6所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述透明导电膜层（7）的材质为掺杂锡的氧化铟、掺杂氟的二氧化锡、掺杂铝的氧化锌中的任意一种或几种的组合，厚度范围为50nm～500nm。

11.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述金属前电极（4）材质为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范围为100nm～100um；所述金属背电极（8）的材质为Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范围为100nm～100um。

12.一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

对硅片表面进行制绒清洗，所述硅片为第一导电类型晶体硅；

在所述硅片正面依次形成第二导电类型晶体硅层、遂穿介质膜层、金属前电极以及覆盖金属前电极和遂穿介质膜层的减反射膜层；

刻蚀掉金属前电极表面的减反射膜层。

13.如权利要求12所述的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀掉金属前电极表面的减反射膜层之前，还包括：

在所述硅片背面依次形成第一导电类型非晶硅层、透明导电膜层和金属背电极。

14.如权利要求12所述的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片正面形成第二导电类型晶体硅层，具体为：

在所述硅片正面和背面掺杂分别形成第二导电类型晶体硅层；

去除所述硅片背面的第二导电类型晶体硅层。