[发明专利]一种提高光取出效率的LED倒装制程

说明书

 

技术领域

    本发明涉及半导体元件结构设计领域，更具体的说，涉及一种提高光取出效率的LED倒装制程。

 

背景技术

现有半导体LED flip chip（倒装）制程，若想进一步提升光取出效率，可在倒装后的蓝宝石衬底表面再进行一次蚀刻图形处理。但现有倒装结构因GaN面(正面)制程后，因表面已有制程图案，在晶片倒装后，若对倒装后的蓝宝石衬底面进行黄光及蚀刻制程，将因晶片平整度不佳和易刮伤GaN制程表面等问题导致无法进行。

     

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供一种提高光取出效率的LED倒装制程，解决晶片平整性及可加工性等问题，以达到对蓝宝石表面加工并加以保护的目的。加工后的蓝宝石表面可有效提高光取出效率。

    为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

   一种提高光取出效率的LED倒装制程，在晶片减薄工序后，将晶片粘附或键合于一基底上，然后在蓝宝石衬底面上蚀刻图形，最后去除粘附或键合的基底。

   所述蚀刻图形可以为有利于提高光取出效率的多种图形。

   在蓝宝石衬底面上可配合进行黄光制程并蚀刻图形。

   本发明所带来的有益效果如下：

   1、加工后的蓝宝石表面可有效提高光取出效率。

   2、解决现有倒装结构因GaN表面(正面)制程后，因表面已有制程图案，在晶片倒装后，无法对倒装后的蓝宝石衬底面进行如PSS黄光及蚀刻制程。

   3、解决因片厚过低所产生的翘曲现象及破片可能性，从而达到对倒装结构表面进行黄光及蚀刻制程的可行性。

 

附图说明

图1是现有的倒装制程晶片结构示意图；

图2是本发明所公开的倒装制程晶片结构示意图；

图3是图2所示晶片结构的倒装制程图。

           

具体实施方式

以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述。

图1是现有的倒装制程晶片结构示意图，图中从下往上依次是 p-GaN层1、量子阱层MQW 2、n-GaN层3、PSS图形4、蓝宝石衬底层5。

为了进一步提高光取出效率，本发明提供了另外一种LED倒装结构及其制程，如图2和图3所示。

图2是本发明所公开的倒装制程晶片的结构示意图，该结构在图1所示的现有结构的蓝宝石衬底层5表面蚀刻图形6。

图3是图2所示的LED倒装结构的制程步骤：未处理的晶片10在经过晶片减薄处理后，将晶片10粘附或键合到另一个基底11上，在蓝宝石衬底面进行黄光制程，晶片10由于粘附或键合了一层基底11而变得坚固，使操作加工过程变得简易，且不易造成破片现象。然后在蓝宝石衬底面蚀刻图形，形成蚀刻图形6，最后将粘附或键合的基底11去除，这种带有蚀刻图形6的蓝宝石衬底，有利于提高光取出效率。  

上述具体实施方式只是用于说明本发明，并不能用来限定本发明的保护范围。对于在本发明技术方案的思想指导下的变形和转换，都应该归于本发明保护范围以内。