[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：

在坩埚内壁喷涂氮化硅层之前或之后，在所述坩埚的侧壁内侧上设置阻隔层，所述阻隔层为硅粉涂层、或石英粉涂层、或硅粉与石英粉混合涂层，所述硅粉和所述石英粉的纯度为99.99%以上；

然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；

控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；

待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻隔层的厚度为1～5mm。

3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述阻隔层采用涂覆或喷涂的方式制备。

4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述硅粉的颗粒粒径为1～8μm，所述石英粉的颗粒粒径为1～20μm。

5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述设置熔融状态的硅料为：在所述坩埚内填装固体硅料，对所述坩埚进行加热使得所述硅料熔融。

6.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将所述熔融状态的硅料浇注至所述设置有阻隔层的坩埚内。

7.多晶硅锭，其特征在于，按照如权利要求1～6中任一权利要求所述的制备方法制得。

8.多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片为以如权利要求7所述的多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。

9.一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体、氮化硅层和阻隔层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述氮化硅层附着在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁表面，所述阻隔层设置在所述侧壁的氮化硅层上或者设置在所述侧壁与所述侧壁的氮化硅层之间，所述阻隔层为硅粉涂层、或石英粉涂层、或硅粉与石英粉混合涂层，所述硅粉和所述石英粉的纯度为99.99%以上。

10.如权利要求9所述的坩埚，其特征在于，所述阻隔层的厚度为1～5mm。