[发明专利]C/SiC复合材料的一种连接方法

权利要求书

1.一种可以实现C/SiC复合材料与其他金属可靠、牢固连接的的连接结构，其特征在于：以C/SiC复合材料为基体，在基体表面制备CVD Nb，CVDNb层厚度0.1mm-5mm，Nb晶粒是垂直于基体表面方向生长的柱状晶，CVDNb与C/SiC界面形状取决于C/SiC复合材料外形面，基体与CVDNb之间发生元素扩散，形成中间相。

2.一种C/SiC复合材料与其他金属的连接方法，其特征在于：采用化学气相沉积铌即CVD Nb技术实现C/SiC材料与其他金属部件的连接，以C/SiC复合材料为基体，在基体表面制备CVD Nb，CVDNb层厚度0.1mm-5mm，具体沉积工艺如下：将原材料Nb片至于氯化室中加热至200℃-400℃，通入氯气产生氯化反应，生产NbCl₅，气态NbCl₅随氢气进入沉积室，通过感应加热将C/SiC复合材料基体加热至900℃-1300℃，NbCl₅在氢气的还原作用下形成Nb原子沉积在C/SiC复合材料表面，得到CVDNb/C/SiC复合连接结构，根据实际需要，将CVDNb进行外形面加工。

3.根据权利要求2所述的一种C/SiC复合材料与其他金属的连接方法，其特征在于：所述Nb采用CVD净成型技术制备，采用开管法立式反应器，采用感应加热方法加热基体，以真空负压现场氯化法直接制备，采用氢气还原Nb的氯化物技术沉积Nb，以C/SiC复合材料为基体，基体C/SiC复合材料的制备及编织方法不限，在其表面连续不间断沉积Nb最终制备获得CVD Nb/（C /SiC）复合结构。

4.根据权利要求2所述的一种C/SiC复合材料与其他金属的连接方法，其特征在于：

所述CVD Nb的平均沉积速率可达到0.1mm/h。

5.根据权利要求2所述的一种C/SiC复合材料与其他金属的连接方法，其特征在于：所述C/SiC复合材料外形面制备或加工为台阶或沟槽结构。

6.一种陶瓷基复合材料的与金属材料的连接方法，其特征在于：采用CVD 技术制备CVD Nb/陶瓷基复合材料过渡连接接头后，与金属材料连接，包括以下几个步骤：

（1）以C/SiC、C/C复合材料或泡沫碳材料等陶瓷基复合材料为沉积基体，采用氯化还原法CVD技术沉积Nb；

（2）以优化的工艺连续沉积Nb至一定厚度；

（3）在沉积过程中，通过控制沉积温度、氯气与氢气通入量和通入时间控制沉积的速率和沉积效率；

（4）根据后续连接要求加工CVDNb。

7.根据权利要求6所述的陶瓷基复合材料的与金属材料的连接方法，其特征在于：所述陶瓷基复合材料为C/C复合材料或泡沫碳材料。