[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT，所述TFT包括源极、栅极和漏极，所述栅极位于第一金属层，所述源极和漏极位于第二金属层，其特征在于，

所述源极和栅极的形状满足：在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述源极和栅极的交叠面积恒定不变。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极包括与栅极的交叠区域、以及在水平方向上分别位于所述栅极两侧的第一部分区域和第二部分区域；

在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述第一部分区域的增/减底面积与所述第二部分区域的减/增底面积相等。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分区域、第二部分区域和与栅极的交叠区域组成的图案包括开口朝向水平方向的“U”字型图案和与所述“U”字型的封闭边连接且横向放置的“L”字型图案；

其中，所述第一部分区域位于所述“U”字型的一侧边延伸出所述栅极的位置处，或位于所述“U”字型的两个侧边延伸出所述栅极的位置处，所述第二部分区域位于所述“L”字型延伸出所述栅极的位置处。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分区域、第二部分区域和与栅极的交叠区域组成的图案为类似“士”字型的图案；

其中，所述第一部分区域位于所述“士”字型的第一边和/或第二边在第一水平方向上延伸出所述栅极的位置处；以及

所述第二部分区域位于所述“士”字型的第一边和/或第二边在与第一水平方向相反的第二水平方向上延伸出所述栅极的位置处，所述第一边与第二边相互平行。

5.如权利要求2～4任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述漏极连接的数据线，所述第一部分区域和第二部分区域与所述数据线之间的最小距离值不小于设定的阈值。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极包括相互分开的第一部分区域和第二部分区域，所述源极包括与所述第一部分区域交叠的第三部分区域和与所述第二部分区域交叠的第四部分区域；

在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述第三部分区域的增/减底面积与所述第四部分区域的减/增底面积相等。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源极的图案为由所述第三部分区域、第四部分区域和位于所述第一部分区域和第二部分区域之间的区域组成的类似倒“T”字型的图案；

其中，所述第三部分区域位于所述倒“T”字型在第一水平方向上与所述第一部分区域交叠的位置处，所述第四部分区域位于所述倒“T”字型在与所述第一水平方向相反的第二水平方向上与所述第二部分区域交叠的位置处。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的阵列基板。

9.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上形成栅极，其中所述栅极位于第一金属层；

在所述衬底基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次形成半导体活化层、以及位于所述半导体活化层上的源极和漏极，其中所述源极和漏极位于第二金属层；

其中，在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述源极和栅极的交叠面积恒定不变。