[发明专利]接面能障肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310311338.4 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347732A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;廖文毅 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接面能障肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种接面能障肖特基二极管，其特征在于，包含：
一N型氮化镓基板，具有一上表面；
一氮化铝镓阻障层，形成于该上表面上；
一P型氮化镓层，形成于该N型氮化镓基板上；
一阳极导电层，形成于该氮化铝镓阻障层上，且部分该阳极导电层与该氮化铝镓阻障层，形成肖特基接触；以及
一阴极导电层，形成于该上表面上，并与该N型氮化镓基板间，形成一欧姆接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。
2.如权利要求1所述的接面能障肖特基二极管，其中，该P型氮化镓层与该N型氮化镓基板由该氮化铝镓阻障层隔开。
3.如权利要求2所述的接面能障肖特基二极管，其中，该阳极导电层、该氮化铝镓阻障层、该N型氮化镓基板与该阴极导电层形成一肖特基二极管，且该P型氮化镓层、该氮化铝镓阻障层与该N型氮化镓基板形成一PIN二极管，其中，该肖特基二极管与该PIN二极管并联。
4.如权利要求1所述的接面能障肖特基二极管，其中，该阳极导电层、该氮化铝镓阻障层、该N型氮化镓基板与该阴极导电层形成一肖特基二极管，且该P型氮化镓层与该N型氮化镓基板形成一PIN二极管，其中，该肖特基二极管与该PIN二极管并联。
5.一种接面能障肖特基二极管制造方法，其特征在于，包含：
提供一N型氮化镓基板，具有一上表面；
形成一氮化铝镓阻障层于该上表面上；
形成一P型氮化镓层于该N型氮化镓基板上；
形成一阴极导电层于该上表面上，并与该N型氮化镓基板间，形成一欧姆接触；以及
形成一阳极导电层于该氮化铝镓阻障层上，且部分该阳极导电层与该氮化铝镓阻障层，形成肖特基接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。
6.如权利要求5所述的接面能障肖特基二极管制造方法，其中，该P型氮化镓层与该N型氮化镓基板由该氮化铝镓阻障层隔开。
7.如权利要求6所述的接面能障肖特基二极管制造方法，其中，该阳极导电层、该氮化铝镓阻障层、该N型氮化镓基板与该阴极导电层形成一肖特基二极管，且该P型氮化镓层、该氮化铝镓阻障层与该N型氮化镓基板形成一PIN二极管，其中，该肖特基二极管与该PIN二极管并联。
8.如权利要求5所述的接面能障肖特基二极管制造方法，其中，该阳极导电层、该氮化铝镓阻障层、该N型氮化镓基板与该阴极导电层形成一肖特基二极管，且该P型氮化镓层与该N型氮化镓基板形成一PIN二极管，其中，该肖特基二极管与该PIN二极管并联。
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