[发明专利]注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供N型衬底；

在所述N型衬底上形成P型掺杂层；

在所述P型掺杂层上形成硬质层；

刻蚀所述硬质层形成具有沟槽图案的硬质层；

在所述P型掺杂层上刻蚀形成沟槽，所述沟槽延伸至所述N型衬底中；

在所述沟槽的底部形成N型掺杂层；

去除所述具有沟槽图案的硬质层；

对所述P型掺杂层的P型杂质和所述N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，所述P型杂质扩散形成P型基区，所述N型杂质扩散形成N型缓冲层；

在所述沟槽表面形成栅氧介质层；

在形成有所述栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型掺杂层采用离子注入或扩散的方式形成。

3.根据权利要求2所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型掺杂层中P型杂质的浓度为1×10¹²离子/cm³～1×10²⁰离子/cm³。

4.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽的底部形成N型掺杂层的操作中，采用所述硬质层或光刻刻蚀硬质层时的光刻胶层做掩膜；所述N型掺杂层采用离子注入的方式形成。

5.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂层中N型杂质的浓度为1×10¹²离子/cm³～1×10²⁰离子/cm³。

6.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述对所述P型掺杂层的P型杂质和所述N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱的操作中，所述推阱的温度为1100℃～1280℃。

7.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述对所述P型掺杂层的P型杂质和所述N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱的操作中，所述推阱的时间为20min～500min。

8.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽表面形成栅氧介质层的操作如下：

将所述沟槽表面氧化形成牺牲氧化层；

刻蚀去除所述牺牲氧化层；

将所述沟槽表面氧化形成栅氧介质层。

9.根据权利要求1所述的注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述硬质层的材质为氧化硅或氮化硅。

10.一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供N型衬底；

在所述N型衬底上形成硬质层；

刻蚀所述硬质层形成具有沟槽图案的硬质层；

在所述N型衬底上刻蚀形成沟槽；

在所述沟槽的底部形成N型掺杂层；

去除所述具有沟槽图案的硬质层；

在所述沟槽中形成掩膜层，所述掩膜层填满所述沟槽；

在所述N型衬底上形成有沟槽的表面形成P型掺杂层；

去除所述掩膜层；

对所述P型掺杂层的P型杂质和所述N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，所述P型杂质扩散形成P型基区，所述N型杂质扩散形成N型缓冲层；

在所述沟槽表面形成栅氧介质层；

在形成有所述栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。