[发明专利]基于石墨烯的反射型可饱和吸收体及制备方法

权利要求书

1.基于石墨烯的反射型可饱和吸收体，其特征在于，

包括可饱和吸收层、反射膜层、基底层；

所述可饱和吸收层、所述反射膜层、所述基底层三层贴合成一体，所述反射膜层位于所述可饱和吸收层与所述基底层之间。

2.如权利要求1所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收层是石墨烯、氧化石墨烯或者官能化石墨烯之中的一种。

3.如权利要求1所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体，其特征在于，所述反射膜层是金膜、银膜、铜膜或者铝膜之中的一种。

4.如权利要求1所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体，其特征在于，所述基底层是硅或者二氧化硅之中的一种。

5.基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在铜箔上生长石墨烯；

（2）在所述石墨烯表面镀第一反射膜，得到镀第一反射膜的石墨烯；

（3）在基底上表面镀第二反射膜，得到镀第二反射膜的基底；

（4）将步骤（2）中所述镀第一反射膜的石墨烯倒置，使所述第一反射膜朝下并与步骤（3）中所述镀第二反射膜的基底上的所述第二反射膜结合在一起；

（5）将所述铜箔腐蚀掉，露出所述石墨烯。

6.如权利要求5所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，所述第一反射膜与所述第二反射膜材料相同，选自金膜、银膜、铜膜、铝膜之中的一种。

7.如权利要求5所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，所述基底选自硅或者二氧化硅之中的一种。

8.如权利要求5所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，用蒸镀方法镀所述第一反射膜与所述第二反射膜。

9.如权利要求5所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，所述石墨烯上所述第一反射膜与所述基底上所述第二反射膜用光胶或者紫外胶结合。

10.如权利要求5所述的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，利用氯化铁溶液刻蚀掉所述铜箔。