[发明专利]一种具有新型栅结构的栅控半导体器件

权利要求书

1.一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于自下而上包括衬底（1）、中间层和栅结构，所述栅控半导体器件的栅结构沿栅宽方向由介质栅和肖特基栅交替连接组成；所述介质栅的数目n1和肖特基栅的数目n2均为大于等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于所述介质栅栅宽度d1范围为：1nm≤d1≤10mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于所述为肖特基栅栅宽度d2范围为：1nm≤d2≤10mm。

4.根据权利要求1所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于所述肖特基栅为平面栅或者凹槽栅，所述介质栅为平面栅或者凹槽栅。

5.根据权利要求1或4所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于各介质栅的栅介质（7）的厚度h相等，且h大于0nm且小于等于1mm。

6.根据权利要求1或4所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于所述介质栅和肖特基栅所用金属为相同金属。

7.根据权利要求1所述的一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于所述栅控半导体器件为Si栅控器件、III族氮化物栅控器件、GaAs栅控器件、金刚石栅控器件、石墨烯栅控器件、Ge栅控器件或InP栅控器件。